[發(fā)明專利]對不合格硅片的處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410442477.5
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN104157739A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許明金;符昌京;鄧清龍;陳耀軍
• 申請（專利權(quán)）人: 海南英利新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種對不合格硅片的處理方法，用于處理在絲網(wǎng)印刷工藝前產(chǎn)生的不合格硅片，其特征在于，包括：

獲取不合格硅片；

采用預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸溶液浸泡所述不合格硅片；

采用表面腐蝕液，在第一預(yù)設(shè)時間和第一預(yù)設(shè)溫度的條件下，腐蝕所述不合格硅片；

采用預(yù)設(shè)體積比例的氫氧化鉀溶液清洗所述不合格硅片；

采用預(yù)設(shè)體積比例的氯化氫和氫氟酸溶液，在第二預(yù)設(shè)時間和第二預(yù)設(shè)溫度的條件下，清洗所述不合格硅片；

對所述不合格硅片進(jìn)行擴散工藝，使所述不合格硅片的方阻在預(yù)設(shè)方阻范圍內(nèi)；

對所述不合格硅片進(jìn)行鍍減反射膜工藝，使所述不合格硅片的減反射膜厚度在預(yù)設(shè)厚度范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液的預(yù)設(shè)濃度為49％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，采用所述表面腐蝕液對所述不合格硅片的表面腐蝕厚度范圍為2.5微米～3微米，包括端點值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述表面腐蝕液為氫氟酸和硝酸溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述氫氟酸和硝酸溶液的體積比為：氫氟酸：硝酸：水＝3:10:5；

所述第一預(yù)設(shè)時間為20s；

以及，所述第一預(yù)設(shè)溫度為8攝氏度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述氫氧化鉀與水的體積比為：氫氧化鉀：水＝1:25。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述氯化氫和氫氟酸溶液的體積比為：氯化氫：氫氟酸：水＝1:2:15；

所述第二預(yù)設(shè)時間的范圍為30s～90s，包括端點值；

所述第二預(yù)設(shè)溫度的范圍為8攝氏度～13攝氏度，包括端點值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)方阻范圍為48～88hm/square，包括端點值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述鍍減反射膜工藝為PECVD工藝。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對不合格硅片的處理方法，其特征在于，所述減反射膜的預(yù)設(shè)厚度范圍為80～84nm，包括端點值。