[發(fā)明專利]具有保護(hù)層的自對準(zhǔn)互連件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410441782.2
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN105280591B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)佑展;傅勁逢;李佳穎
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

集成電路結(jié)構(gòu)包括：第一層層間電介質(zhì)(ILD)、位于第一ILD中的柵極堆疊件、位于第一ILD上方的第二ILD、位于第二ILD中的接觸插塞、以及位于接觸插塞的相對兩側(cè)上并且與接觸插塞相接觸的介電保護(hù)層。接觸插塞和介電保護(hù)層位于第二ILD中。介電覆蓋層位于接觸插塞上方并且與接觸插塞相接觸。本發(fā)明還涉及具有保護(hù)層的自對準(zhǔn)互連件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路器件，更具體地，涉及具有保護(hù)層的自對準(zhǔn)互連件。

背景技術(shù)

隨著集成電路的制造技術(shù)的發(fā)展，集成電路器件變得越來越小。集成電路通過導(dǎo)電部件(諸如金屬線、通孔和接觸插塞)互連以形成功能電路。因此，導(dǎo)電部件之間的間距也變得越來越小。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：第一層間電介質(zhì)(ILD)；柵極堆疊件，位于所述第一ILD中；第二ILD，位于所述第一ILD上方；第一接觸插塞，位于所述第二ILD中；介電保護(hù)層，位于所述第一接觸插塞的相對兩側(cè)上并且與所述第一接觸插塞接觸，其中，所述第一接觸插塞和所述介電保護(hù)層位于所述第二ILD中；以及介電覆蓋層，位于所述第一接觸插塞上方并且與所述第一接觸插塞接觸。

在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：第三ILD，位于所述第二ILD上方；以及第二接觸插塞，從所述第三ILD的頂面延伸到所述第二ILD的底面，其中，所述第二接觸插塞電連接至所述柵極堆疊件。

在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：第三ILD，位于所述第二ILD上方；以及第二接觸插塞，從所述第三ILD的頂面延伸到所述第二ILD的底面，其中，所述第二接觸插塞電連接至所述柵極堆疊件；其中，所述第二接觸插塞包括與所述介電保護(hù)層的頂部邊緣接觸的第一底面。

在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述第一接觸插塞包括與所述第一ILD的頂面接觸的底面。

在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述介電保護(hù)層和所述介電覆蓋層由相同的介電材料形成。

在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：源極/漏極區(qū)；第三接觸插塞，位于所述源極/漏極區(qū)上方并且電連接至所述源極/漏極區(qū)，其中，所述第三接觸插塞位于所述第一ILD中；第四接觸插塞，位于所述第三接觸插塞上方并且接觸所述第三接觸插塞，其中，所述第四接觸插塞位于所述第二ILD中；以及第五接觸插塞，位于所述第四接觸插塞上方并且與所述第四接觸插塞接觸，其中，所述第五接觸插塞從第三ILD的頂面延伸到所述第二ILD內(nèi)。

在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：源極/漏極區(qū)；第三接觸插塞，位于所述源極/漏極區(qū)上方并且電連接至所述源極/漏極區(qū)，其中，所述第三接觸插塞位于所述第一ILD中；第四接觸插塞，位于所述第三接觸插塞上方并且接觸所述第三接觸插塞，其中，所述第四接觸插塞位于所述第二ILD中；以及第五接觸插塞，位于所述第四接觸插塞上方并且與所述第四接觸插塞接觸，其中，所述第五接觸插塞從第三ILD的頂面延伸到所述第二ILD內(nèi)；其中，所述第五接觸插塞的底面與所述第一接觸插塞的頂面基本共平面。

在上述集成電路結(jié)構(gòu)中，其中，所述介電覆蓋層的頂面與所述第二ILD的頂面基本共平面。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：第一層間電介質(zhì)(ILD)；蝕刻停止層，位于所述第一ILD上方；第二ILD，位于所述蝕刻停止層上方；第一狹槽式接觸插塞，位于所述第二ILD中，其中，所述第一狹槽式接觸插塞穿透所述蝕刻停止層以接觸所述第一ILD的頂面；介電保護(hù)層，包括位于所述第一狹槽式接觸插塞的相對兩側(cè)上并且與所述第一狹槽式接觸插塞接觸的部分；以及介電覆蓋層，位于所述第一狹槽式接觸插塞上方并且與所述第一狹槽式接觸插塞接觸，其中，所述第一狹槽式接觸插塞、所述介電保護(hù)層和所述介電覆蓋層均位于所述第二ILD中。