[發(fā)明專利]導(dǎo)體納米線的選擇性形成

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410440487.5
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN105304555A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭兆賢;李香寰;眭曉林
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

蝕刻芯軸層以形成芯軸帶；

在所述芯軸帶的側(cè)壁上選擇性地沉積金屬線，其中，在所述選擇性地沉積期間，通過介電掩模來掩蔽所述芯軸帶的頂面；

去除所述芯軸層和所述介電掩模；

用介電材料填充所述金屬線之間的間隙；

在所述介電材料中形成通孔開口，所述金屬線的頂面暴露于所述通孔開口；以及

用導(dǎo)電材料填充所述通孔開口以形成通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻所述芯軸層以形成所述芯軸帶包括：蝕刻含硅層以形成含硅帶。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，選擇性地沉積所述金屬線包括：選擇性地沉積銅、鎢、鋁或它們的合金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述芯軸層上方形成介電掩模層，其中，蝕刻所述介電掩模層以形成所述介電掩模。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，選擇性地沉積所述金屬線包括化學(xué)汽相沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，填充所述通孔開口包括化學(xué)汽相沉積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在蝕刻所述芯軸層之前，在介電蝕刻停止層上方形成所述芯軸層，其中，在蝕刻所述芯軸層之后，暴露所述介電蝕刻停止層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在蝕刻所述芯軸層之后，暴露位于所述芯軸層下面的導(dǎo)電部件，并且其中，所述金屬線位于所述導(dǎo)電部件上方并且與所述導(dǎo)電部件接觸。

9.一種方法，包括：

形成蝕刻停止層；

在所述蝕刻停止層上方形成芯軸層；

在所述芯軸層上方形成介電掩模層；

使用相同的蝕刻掩模蝕刻所述介電掩模層和所述芯軸層以分別形成芯軸帶和介電掩模，其中，暴露所述蝕刻停止層；

在所述芯軸帶的側(cè)壁表面上選擇性地沉積金屬線，其中，所述金屬線的材料不沉積在所述介電掩模的暴露表面上和所述蝕刻停止層的暴露表面上；

去除所述芯軸帶和所述介電掩模；以及

用介電層填充所述金屬線之間的間隙。

10.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

第一金屬線，包括：

第一傾斜側(cè)壁；和

第二傾斜側(cè)壁，與所述第一傾斜側(cè)壁相對，其中，所述第一傾斜側(cè)壁和所述第二傾斜側(cè)壁向相同的第一方向傾斜；以及

第一通孔，位于所述第一金屬線的頂面上方并且與所述第一金屬線的頂面接觸。