[發明專利]一種檢測掃描機臺的性能方法有效
| 申請號: | 201410440447.0 | 申請日: | 2014-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN104332421B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 何理;許向輝 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 吳俊 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 檢測 掃描 機臺 性能 方法 | ||
1.一種檢測掃描機臺的性能方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1、提供一具有圖案的監控片,將所述監控片劃分為若干面積均等的單元區,利用一掃描機臺對所述監控片重復掃描多次,獲取對應每個單元區的多個灰階數值;
步驟S2、當其中一個或多個所述單元區的所述灰階數值與臨近的其他所述單元區的所述灰階數值存在明顯偏移,判斷存在明顯偏移的所述單元區為缺陷所在的單元區,并將所述缺陷所在單元區進行濾除;
步驟S3、將保留下來的每個單元區所對應的多個灰階數值進行平均化處理,以生成一數字化的模擬晶圓;
步驟S4、對所述掃描機臺進行維護處理,之后利用該掃描機臺對所述監控片進行掃描,獲取每個單元區的灰階數值;
當其中一個或多個所述單元區的所述灰階數值與臨近的其他所述單元區的所述灰階數值存在明顯偏移,判斷存在明顯偏移的所述單元區為缺陷所在的單元區,并將所述缺陷所在單元區進行濾除,生成一數字化的檢測晶圓;
步驟S5、將所述數字化的模擬晶圓與所述數字化的檢測晶圓對應芯片單元上所有灰階數值進行比對,通過所述灰階數值有無明顯偏差,判斷經過維護處理后的掃描機臺是否存在異常,若存在異常,則繼續進行步驟S4。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟S1中,利用所述掃描機臺對所述監控片重復掃描至少50次。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟S1中,利用所述掃描機臺對所述監控片進行重復掃描時,該掃描機臺的各項參數滿足最佳觀測需求。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,當其中一個或多個單元區的灰階數值與臨近的其他單元區的灰階數值之間的差值超過±10,則該單元區中存在缺陷。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,若所述數字化的檢測晶圓與所述數字化的模擬晶圓中存在的偏差大于5%,和/或濾除的單元區數量存在的偏差大于5%,則經過維護處理后的掃描機臺仍存在異常。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述掃描機臺設置有一存儲模塊,該存儲模塊用于對步驟S2中濾除的單元區數量以及數字化的模擬晶圓的數據進行存儲。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





