[發明專利]一種故障恢復電路及裝置

有效

• 申請號: 201410440265.3
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN104199752B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 王隆峰
• 申請（專利權）人: 邁普通信技術股份有限公司
• 主分類號: G06F11/20
• 分類號: G06F11/20
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及電子設備領域，尤其涉及一種故障恢復電路及裝置。

背景技術

SD卡(Secure Digital Memory Card，安全數碼卡)是一種基于半導體快閃記憶器的新一代記憶設備，被廣泛應用于各種電子設備中。在電子設備中，主控制器與SD卡連接，主控制器在開機或重啟過程中，對SD卡進行初始化，并加載SD卡的驅動程序，以使得主控制器在開機或重啟后，可以對SD卡進行讀寫等操作，從而完成主控制器與SD卡的通信。在SD卡出現異常的情況下，主控制器通常向SD卡發送復位指令，以使得SD卡的控制模塊在接收到此復位指令時，執行復位操作，并向主控制器發送復位響應消息，從而完成主控制器對SD卡的恢復。但是，當提供給SD卡及主控制器的直流電源電壓瞬時跌落導致跌落后的電壓小于SD卡內控制模塊正常工作所需的電壓時，此控制模塊無法工作，從而無法識別主控制器發送的復位指令，進而也不會執行復位操作，從而導致主控制器對SD卡的恢復失敗。

在現有技術中，若由于直流電源電壓瞬時跌落導致SD卡內的控制模塊異常時，則需要操作人員手動對電子設備進行斷電，并在直流電源電壓穩定時，再重新給電子設備供電，以使得電子設備重新開啟，由于電子設備在重新開啟過程中，其內置的主控制器及SD卡均需重新啟動，且主控制器在重新啟動過程中對SD卡進行初始化，即向SD卡發送復位命令，此時，由于SD卡內的控制模塊供電正常，則向主控制器發送復位響應消息，從而使得主控制器完成對SD卡的初始化過程，并在完成初始化后，加載SD卡的驅動程序，從而完成主控制器對SD卡的恢復。

但在上述實現過程中，當直流電源電壓瞬時跌落導致SD卡內的控制模塊異常時，需要操作人員手動對電子設備重新開啟才能完成主控制器對SD卡的恢復，這樣，當SD內的控制模塊異常時，若操作人員未及時發現或未在現場時，均需要花費一定的時間才能對電子設備進行重新開啟，完成主控制器對SD卡的恢復，從而使得電子設備的故障恢復時間較長。

發明內容

本發明的實施例提供一種故障恢復電路及裝置，用于自動完成主控制器對SD卡的恢復，從而減小電子設備的故障恢復時間。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例提供一種故障恢復電路，包括：主控制器，SD卡，分壓單元，信號輸出單元，第一開關單元及第二開關單元；所述分壓單元的輸入端與直流電源連接，輸出端與所述信號輸出單元的輸入端連接；所述信號輸出單元的第一輸出端與所述主控制器連接，第二輸出端與所述第一開關單元的控制端連接；所述第一開關單元的輸出端與所述SD卡連接，輸入端與所述直流電源連接；所述第二開關單元的控制端與所述信號輸出單元的第一輸出端或第二輸出端連接，輸入端與所述主控制器連接，輸出端與所述SD卡連接；所述信號輸出單元，用于在所述分壓單元輸出的電壓小于所述信號輸出單元的輸入端的既定電壓時，在預設時間內控制所述第一開關單元及所述第二開關單元斷開，并控制所述主控制器復位；其中，所述預設時間大于所述SD卡完全放電的時間；所述信號輸出單元，還用于在確定達到所述預設時間時，控制所述第一開關單元及所述第二開關單元導通，并控制所述主控制器開啟。

可選的，所述信號輸出單元包括：第一復位單元；所述第一復位單元的第一輸出端與所述主控制器連接，第二輸出端與所述第一開關單元的控制端連接；所述第二開關單元的控制端與所述第一復位單元的第一輸出端或第二輸出端連接。

可選的，所述信號輸出單元包括：第二復位單元及反相器；所述第二復位單元的輸入端與所述分壓單元的輸出端連接，輸出端與所述反相器的輸入端連接；所述反相器的輸出端為所述信號輸出單元的第一輸出端，所述第二復位單元的輸出端為所述信號輸出單元的第二輸出端；或者；所述反相器的輸出端為所述信號輸出單元的第二輸出端，所述第二復位信號的輸出端為所述信號輸出單元的第一輸出端。

可選的，所述故障恢復電路還包括：第一電阻單元；所述第一電阻單元的第一端與所述直流電源連接，第二端與所述第一開關單元的控制端連接。

可選的，所述故障恢復電路還包括：第二電阻單元；所述第一電阻單元的第二端通過所述第二電阻單元與所述第一開關單元的控制端連接。

可選的，所述分壓單元包括：第三電阻單元及第四電阻單元；所述第三電阻單元的第一端與所述直流電源連接，第二端分別與所述第四電阻單元的第一端及所述信號輸出單元的輸入端連接；所述第四電阻單元的第二端接地。

可選的，所述第一開關單元包括：P溝道-金屬氧化物半導體場效應管PMOS。