[發(fā)明專利]一種故障恢復(fù)電路及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410440265.3 | 申請日： | 2014-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN104199752B | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王隆峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 邁普通信技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F11/20 | 分類號： | G06F11/20 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 故障 恢復(fù) 電路 裝置 | ||
1.一種故障恢復(fù)電路，包括主控制器及安全數(shù)碼卡SD卡，其特征在于，還包括：分壓單元，信號輸出單元，第一開關(guān)單元及第二開關(guān)單元；
所述分壓單元的輸入端與直流電源連接，輸出端與所述信號輸出單元的輸入端連接；所述信號輸出單元的第一輸出端與所述主控制器連接，第二輸出端與所述第一開關(guān)單元的控制端連接；所述第一開關(guān)單元的輸出端與所述SD卡連接，輸入端與所述直流電源連接；所述第二開關(guān)單元的控制端與所述信號輸出單元的第一輸出端或第二輸出端連接，輸入端與所述主控制器連接，輸出端與所述SD卡連接；
所述信號輸出單元，用于在所述分壓單元輸出的電壓小于所述信號輸出單元的輸入端的既定電壓時，在預(yù)設(shè)時間內(nèi)控制所述第一開關(guān)單元及所述第二開關(guān)單元斷開，并控制所述主控制器復(fù)位；其中，所述預(yù)設(shè)時間大于所述SD卡完全放電的時間；
所述信號輸出單元，還用于在確定達到所述預(yù)設(shè)時間時，控制所述第一開關(guān)單元及所述第二開關(guān)單元導(dǎo)通，并控制所述主控制器開啟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述信號輸出單元包括：第一復(fù)位單元；
所述第一復(fù)位單元的第一輸出端與所述主控制器連接，第二輸出端與所述第一開關(guān)單元的控制端連接；所述第二開關(guān)單元的控制端與所述第一復(fù)位單元的第一輸出端或第二輸出端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述信號輸出單元包括：第二復(fù)位單元及反相器；
所述第二復(fù)位單元的輸入端與所述分壓單元的輸出端連接，輸出端與所述反相器的輸入端連接；所述反相器的輸出端為所述信號輸出單元的第一輸出端，所述第二復(fù)位單元的輸出端為所述信號輸出單元的第二輸出端；或者；
所述反相器的輸出端為所述信號輸出單元的第二輸出端，所述第二復(fù)位信號的輸出端為所述信號輸出單元的第一輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述故障恢復(fù)電路還包括：第一電阻單元；
所述第一電阻單元的第一端與所述直流電源連接，第二端與所述第一開關(guān)單元的控制端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述故障恢復(fù)電路還包括：第二電阻單元；
所述第一電阻單元的第二端通過所述第二電阻單元與所述第一開關(guān)單元的控制端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3、5任一項所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述分壓單元包括：第三電阻單元及第四電阻單元；
所述第三電阻單元的第一端與所述直流電源連接，第二端分別與所述第四電阻單元的第一端及所述信號輸出單元的輸入端連接；所述第四電阻單元的第二端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3、5任一項所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)單元包括:P溝道-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管PMOS。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述分壓單元包括：第三電阻單元及第四電阻單元；
所述第三電阻單元的第一端與所述直流電源連接，第二端分別與所述第四電阻單元的第一端及所述信號輸出單元的輸入端連接；所述第四電阻單元的第二端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)單元包括:P溝道-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管PMOS。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)單元包括:P溝道-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管PMOS。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的故障恢復(fù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)單元包括:P溝道-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管PMOS。
12.一種故障恢復(fù)裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-11任一項所述的故障恢復(fù)電路。
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