[發明專利]光刻膠剝離方法

在審

• 申請號: 201410440251.1
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105321807A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 施政宏;楊國華;侯翔彬
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/48
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明是關于一種光刻膠剝離方法，特別是關于一種以流體剝離光刻膠的光刻膠剝離方法。

背景技術

現有習知凸塊制造工藝包含：在基板上形成光刻膠層；對該光刻膠層進行曝光/顯影，以圖案化該光刻膠層；在圖案化的該光刻膠層中鍍上凸塊；最后再將圖案化的該光刻膠層移除而完成凸塊制造工藝。其中在移除光刻膠的工藝中，一般是將覆蓋有該光刻膠層的該基板浸入光刻膠剝離液中，使得該光刻膠層產生膨潤、裂解而由該基板上剝離，但根據不同的產品需求考慮，制程中所使用的光刻膠材料及光刻膠剝離液的種類皆不相同，而造成現有習知技術在光刻膠剝離的工藝中常因將該基板浸入光刻膠剝離液的時間過長而導致凸塊的散落或是導致該基板的保護層的損壞。反之，若該基板浸入光刻膠剝離液的浸泡時間過短，則易導致光刻膠層的殘留，而影響凸塊制造工藝的良率。此外，在凸塊制造工藝中由于凸塊需具有一定的厚度，因此，該光刻膠層的厚度也需涂布有相對的厚度，而導致于光刻膠剝離液浸泡的時間較長，且光刻膠剝離液的使用量也較多，而造成環境上的負擔以及制作成本的增加。有鑒于上述現有的光刻膠剝離方法存在的缺陷，本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新的光刻膠剝離方法，能夠改進一般現有的光刻膠剝離方法，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經過反復試作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本發明。

發明內容

本發明的主要目的在于，克服現有的光刻膠剝離方法存在的缺陷，而提供一種新的光刻膠剝離方法，所要解決的技術問題是借由流體沖刷覆蓋有光刻膠的半導體基板，以使光刻膠層由半導體基板上剝離，可大幅減少浸泡化學液的時間，并減少化學液的用量，且由于浸泡化學液的時間較短，本發明的光刻膠剝離方法并不會影響半導體基板的結構，而可大幅提升生產的良率，非常適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種光阻剝離方法，其包含：半導體基板，該半導體基板具有基板、焊墊、保護層、凸塊下金屬層、圖案化光刻膠層及凸塊，該焊墊位于該基板的表面，該保護層覆蓋該基板及該焊墊，且該保護層具有開口，該開口顯露該焊墊，該凸塊下金屬層覆蓋該保護層，該凸塊設置于該凸塊下金屬層上，該凸塊具有側面，該圖案化光刻膠層覆蓋該凸塊下金屬層及該凸塊的該側面，且該圖案化光刻膠層及該凸塊的該側面之間形成有第一接合界面，該圖案化光刻膠層及該凸塊下金屬層之間形成有第二接合界面，其中該第一接合界面具有第一接合強度，該第二接合界面具有第二接合強度；

提供上述半導體基板進行以下步驟：

一、浸泡步驟，將該半導體基板浸泡至化學液中，使該化學液接觸該圖案化光刻膠層，且該化學液滲入該第一接合界面中，使該第一接合界面的該第一接合強度轉變為第三接合強度，該第二接合界面的該第二接合強度轉變為第四接合強度，其中該第三接合強度小于該第一接合強度；以及

二、剝離步驟，以流體沖刷該半導體基板，該流體具有沖擊力，該沖擊力大于該第三接合強度及該第四接合強度，以使該圖案化光刻膠層由該基板上剝離，以顯露該凸塊的該側面及該凸塊下金屬層。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的第四接合強度小于該第二接合強度。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的流體為二流體(two-phaseflow)。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的流體的流量介于3升/分鐘至5升/分鐘之間。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的剝離步驟中，是以噴嘴噴出該流體，且該噴嘴至該半導體基板具有間距，該間距介于0.2公分至1公分之間。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的流體沖刷該半導體基板具有沖刷時間，該沖刷時間介于10秒至30秒之間。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的半導體基板浸泡至該化學液中具有浸泡時間，該浸泡時間介于1分鐘至40分鐘之間。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的流體可選自于去離子水(DIW)混合氮氣或二氧化碳。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的凸塊具有高度，該凸塊的該高度介于150μm至200μm之間。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的圖案化光阻層具有高度，該圖案化光阻層的該高度介于150μm至200μm之間。

前述的光刻膠剝離方法，其中所述的剝離步驟前包含有清洗步驟，以清除殘留于該基板的背面的該化學液。