[發明專利]光刻膠剝離方法

在審

• 申請號: 201410440251.1
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105321807A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 施政宏;楊國華;侯翔彬
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/48
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種光刻膠剝離方法，其包含：

半導體基板，該半導體基板具有基板、焊墊、保護層、凸塊下金屬層、圖案化光刻膠層及凸塊，該焊墊位于該基板的表面，該保護層覆蓋該基板及該焊墊，且該保護層具有開口，該開口顯露該焊墊，該凸塊下金屬層覆蓋該保護層，該凸塊設置于該凸塊下金屬層上，該凸塊具有側面，該圖案化光刻膠層覆蓋該凸塊下金屬層及該凸塊的該側面，且該圖案化光刻膠層及該凸塊的該側面之間形成有第一接合界面，該圖案化光刻膠層及該凸塊下金屬層之間形成有第二接合界面，其中該第一接合界面具有第一接合強度，該第二接合界面具有第二接合強度；

其特征在于提供該半導體基板進行以下步驟：

一、浸泡步驟，將該半導體基板浸泡至化學液中，使該化學液接觸該圖案化光刻膠層，且該化學液滲入該第一接合界面中，使該第一接合界面的該第一接合強度轉變為第三接合強度，該第二接合界面的該第二接合強度轉變為第四接合強度，其中該第三接合強度小于該第一接合強度；以及

二、剝離步驟，以流體沖刷該半導體基板，該流體具有沖擊力，該沖擊力大于該第三接合強度及該第四接合強度，以使該圖案化光刻膠層由該基板上剝離，以顯露該凸塊的該側面及該凸塊下金屬層。

2.根據權利要求1所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的第四接合強度小于該第二接合強度。

3.根據權利要求1所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的流體為二流體。

4.根據權利要求3所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的流體的流量介于3升/分鐘至5升/分鐘之間。

5.根據權利要求4所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的剝離步驟中，是以噴嘴噴出該流體，且該噴嘴至該半導體基板具有間距，該間距介于0.2公分至1公分之間。

6.根據權利要求5所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的流體沖刷該半導體基板具有沖刷時間，該沖刷時間介于10秒至30秒之間。

7.根據權利要求1所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的半導體基板浸泡至該化學液中具有浸泡時間，該浸泡時間介于1分鐘至40分鐘之間。

8.根據權利要求3所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的流體可選自于去離子水混合氮氣或二氧化碳。

9.根據權利要求1所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的凸塊具有高度，該凸塊的該高度介于150微米至200微米之間。

10.根據權利要求1或9所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的圖案化光刻膠層具有高度，該圖案化光刻膠層的該高度介于150微米至200微米之間。

11.根據權利要求1所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的剝離步驟前包含有清洗步驟，以清除殘留于該基板的背面的該化學液。

12.根據權利要求1所述的光刻膠剝離方法，其特征在于其中所述的剝離步驟后包含干燥步驟，以去除水分。