[發明專利]一種超結功率器件終端結構

有效

• 申請號: 201410439266.6
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN104183627B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 任敏;姚鑫;王為;張建剛;韓天宇;許高潮;李澤宏;張金平;高巍;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙)51227
• 代理人: 李玉興

1.一種超結功率器件終端結構，該終端結構包括第一導電類型半導體襯底(2)、設置在第一導電類型半導體襯底(2)下層的金屬漏極(1)、設置在第一導電類型半導體襯底(2)上層的第一導電類型半導體外延區(3)；所述第一導電類型半導體外延區(3)上層遠離元胞區的一端設置有截止環(12)；其特征在于，第一導電類型半導體外延區(3)中設置有多個第二導電類型半導體摻雜柱(4)；所述多個第二導電類型半導體摻雜柱(4)的底端位于同一水平面，其豎直高度從終端結構靠近元胞區的一端到遠離元胞區的一端依次逐個降低；第一導電類型半導體外延區(3)上表面和第二導電類型半導體摻雜柱(4)頂部之間設置有第一導電類型半導體輕摻雜區(5)；所述第一導電類型半導體輕摻雜區(5)與所述第二導電類型半導體摻雜柱(4)之間產生縱向耗盡，所述第一導電類型半導體外延區(3)與所述第二導電類型半導體摻雜柱(4)之間產生橫向耗盡；

當所述第一導電類型半導體為N型半導體、第二導電類型半導體為P型半導體時，所述超結功率器件為N溝道超結功率器件；反之，所述超結功率器件為P溝道超結功率器件。