[發明專利]一種具有同側電極芯片的LED封裝結構

有效

• 申請號: 201410438711.7
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN104157777B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 李媛
• 申請（專利權）人: 李媛
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種LED封裝結構,尤其一種采用側電極芯片的LED封裝結構。

背景技術

按襯底的導電性能不同，現有的LED芯片一般分為不導電襯底芯片和導電襯底芯片，前者主要是指藍寶石襯底芯片，也叫正裝結構芯片或雙電極芯片，后主要包括碳化硅襯底、硅襯底和氮化鎵襯底芯片等，也叫垂直結構芯片或單電極芯片。正裝芯片的P型電極可以直接制作在P型半導體層上，但由于承載N型半導體層的藍寶石襯底不具有導電功能，在制作N型電極時，需要在P型半導體面上切割出部分區域，直至暴露出N型半導體層，再在該暴露的N型半導體層上制作N型電極。以8mil×7mil尺寸的芯片來算，芯片的總發光面積為8×7＝56mil²，P型電極的面積約為3×3＝9mil²，切割的P型半導體區域約為4×4＝16mil²，制作完電極后芯片剩余的發光面積為56-9-16＝31mil,發光面積的利用率為31/56×100％＝55％。相對而言，由于垂直結構芯片的襯底是可以導電的，只需要再P型半導體層上制作一個P型電極即可，發光面積利用有所提高，但由于P型電極設置在出光面上，還是遮擋了部分光。可見，現有LED芯片都需要在發光面上制作電極，對芯片發光面積存在不同程度的遮擋，無法完全利用到芯片的全部發光面積，內部量子效率低下。同時，由于大量的光被反射回芯片內，造成芯片內熱量積聚，也加快了芯片的衰減速度，降低芯片的使用壽命。采用上述的芯片封裝為LED時，由于還需要在芯片電極上焊接金線，進一步增加對芯片發光的遮擋，降低LED的出光率。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明提供一種出光效率高，熱積聚少，使用壽命高的LED封裝結構。

本發明解決其技術問題所采用的技術手段是：

一種具有同側電極芯片的LED封裝結構，包括芯片及芯片上的N型半導體層電接觸的N型電極和P型半導體層電接觸的P型電極、與芯片電極電接觸的基板，其特征在于：芯片的N型半導體層和P型半導體層兩側的面為芯片的出光面，位于出光面側邊的其余面為芯片的側面；N型電極和P型電極設置在所述芯片的同一側面上。

本發明的有益效果是：由于本發明將電極設置在芯片的側面，芯片側面的出光量大大小于芯片側面的出光量，使得LED的出光量將大大增加，同時減少LED內的熱量積聚，提高LED壽命，N型電極和P型電極設置在所述芯片的同一側面上，還有利于封裝操作，有利于實現倒裝封裝。

作為本發明的進一步改進，所述芯片的側面朝向所述基板，N型電極和P型電極側面與所述基板電接觸，以有利于光向四周空間方向發出。

作為本發明的進一步改進，芯片N型電極和P型電極所在的側面朝向所述基板，N電極和P電極分別與基板直接焊接電接觸，以有利于用倒裝焊電連接。

作為本發明的進一步改進，所述芯片N型電極和P型電極相反的側面朝向所述基板，N型電極和P型電極分別通過焊線與基板電接觸，以有利于采用焊線電連接。

作為本發明的進一步改進，所述芯片的發光面朝向所述基板，N型電極和P型電極位于芯片出光面方向的端面與所述基板電接觸，以有利于光向單方向發出。

作為本發明的進一步改進，所述N電極和P電極分別與基板直接焊接電接觸，以有利于采用倒裝焊電連接。

作為本發明的進一步改進，所述N電極和P電極分別通過焊線與基板電接觸，以有利于采用焊線電連接。

作為本發明的進一步改進，N電極和P電極其中之一通過焊線與基板點接觸，另一電極與基板直接焊接電接觸，以有利于混合倒裝焊與焊線電連接的優點。

附圖說明

圖1為本發明電極在芯片同一側面的結構示意圖；

圖2為本發明電極在芯片不同側面的結構示意圖；

圖3為本發明電極上設置導電層的結構示意圖；

圖4為具有導電襯底的芯片上制作側電極的結構示意圖；

圖5為無襯底芯片上制作側電極的結構示意圖；

圖6為無襯底芯片僅一個電極設置在側面的結構示意圖；

圖7為芯片側面朝向基板的LED封裝結構示意圖之一；

圖8為芯片側面朝向基板的LED封裝結構示意圖之二；

圖9為芯片發光面朝向基板的LED封裝結構示意圖之一；

圖10為芯片發光面朝向基板的LED封裝結構示意圖之二；

圖11為芯片發光面朝向基板的LED封裝結構示意圖之三。

具體實施方式