[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201410438412.3
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105374739B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 何作鵬;丁敬秀;趙洪波
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底內形成有通孔；

形成覆蓋于所述基底表面、通孔底部和側壁表面的金屬層；

在所述金屬層表面形成苯并環丁烯層；

在所述苯并環丁烯層表面形成光刻膠膜，所述光刻膠膜封閉所述通孔；

對所述光刻膠膜進行烘烤處理；

圖形化所述光刻膠膜形成光刻膠層，所述光刻膠層位于通孔上方；

圖形化所述苯并環丁烯層，暴露出金屬層表面；

以所述光刻膠層為掩膜，刻蝕所述暴露的金屬層直至暴露出基底表面，剩余的金屬層為再分布層；

去除所述光刻膠層以及苯并環丁烯層。

2.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述光刻膠膜封閉所述通孔后，通孔內具有空氣。

3.如權利要求2所述半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述烘烤處理過程中，通孔內的空氣體積膨脹。

4.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述烘烤處理包括前烘處理以及后烘處理。

5.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述苯并環丁烯層。

6.如權利要求5所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝的工藝參數為：反應原材料包括二乙烯基硅氧烷—雙苯并環丁烯，在100攝氏度至200攝氏度加熱環境下使所述反應原材料氣化，通過He、Ar或N₂作為載氣將氣化后的反應原材料引入反應腔室中，反應腔室溫度為300攝氏度至400攝氏度，反應腔室壓強為2托至5托。

7.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用旋轉涂覆工藝形成所述光刻膠膜。

8.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用曝光顯影處理圖形化所述光刻膠膜。

9.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為Cu、Al、W或Ag。

10.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用曝光顯影處理，圖形化所述苯并環丁烯層。

11.如權利要求10所述半導體結構的形成方法，其特征在于，在同一道工藝步驟中，圖形化所述光刻膠膜以及苯并環丁烯層。

12.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝刻蝕去除金屬層直至暴露出基底表面。

13.如權利要求12所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝對金屬層的刻蝕速率大于對苯并環丁烯層的刻蝕速率。

14.如權利要求12所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液體包括硝酸、硫酸、雙氧水、氟化銨以及去離子水的混合溶液，其中，硝酸與混合溶液的質量百分比小于10％，硫酸與混合溶液的質量百分比小于5％，雙氧水與混合溶液的質量百分比小于8％，氟化銨與混合溶液的質量百分比小于5％。

15.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用灰化工藝去除所述光刻膠層以及苯并環丁烯層。

16.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底內形成通孔的工藝步驟包括：提供基底；在所述基底表面形成圖形化的掩膜層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕去除部分厚度的基底，在所述基底內形成通孔；去除圖形化的掩膜層。