[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410438315.4
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN104217994B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 寧策
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管(TFT)陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

高級超維場轉換技術(ADvanced Super Dimension Switch，ADS)顯示模式的液晶面板是通過同一平面內電極邊緣所產生的電場以及電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使在電極之間和電極正上方的所有液晶分子發生旋轉。ADS顯示模式的液晶面板具有高畫面品質、高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無水波紋(push Mura)等優點。

現有的ADS顯示模式的薄膜晶體管陣列基板的制備方法構圖工藝復雜，成本較大。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置，以解決現有的薄膜晶體管陣列基板的制備方法構圖工藝復雜，成本高的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，包括：

通過一次構圖工藝在基板上形成包括公共電極、公共電極線、柵線和數據線的圖形，其中，所述公共電極線與所述公共電極連接，所述數據線在與所述柵線和所述公共電極線的交叉處斷開；

在形成有所述公共電極、公共電極線、柵線和數據線的基板上，形成絕緣層；

通過一次構圖工藝在形成有所述絕緣層的基板上形成有源層的圖形；

在形成有所述有源層的基板上形成柵絕緣層，并通過一次構圖工藝在所述柵絕緣層上形成對應于所述柵線的第一過孔、對應于所述數據線的第二過孔和對應于所述有源層的兩第三過孔；

通過一次構圖工藝在形成有所述柵絕緣層的基板上形成包括像素電極、柵極和源漏極的圖形，所述柵極通過所述第一過孔與所述柵線電連接，所述數據線通過所述第二過孔電連接，并通過所述第二過孔與所述源極電連接，所述源極通過一所述第三過孔與所述有源層電連接，所述漏極通過另一所述第三過孔與所述有源層電連接。

優選地，通過一次構圖工藝在基板上形成公共電極、公共電極線、柵線和數據線的圖形的步驟包括：

在所述基板上依次形成第一透明導電薄膜和第一金屬薄膜；

在所述第一金屬薄膜上涂覆光刻膠；

采用灰色或半色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光、顯影，在所述基板上形成光刻膠全保留區域，光刻膠半保留區域以及光刻膠去除區域，其中，所述光刻膠全保留區域對應公共電極線、柵線和數據線圖形區域，所述光刻膠半保留區域對應公共電極區域，所述光刻膠去除區域為除所述光刻膠全保留區域和所述光刻膠半保留區域之外的區域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區域的第一金屬薄膜和第一透明導電薄膜；

利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區域的第一金屬薄膜，形成公共電極的圖形；

剝離所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，露出所述公共電極線、柵線和數據線的圖形，其中，所述公共電極線與所述公共電極連接，所述數據線在與所述柵線和所述公共電極線交叉的位置處斷開。

優選地，所述第一金屬為銅基金屬。

優選地，所述銅基金屬為銅、銅鉬合金、銅鈦合金、銅鉬鎢合金、銅鉬鈮合金或銅鉬鈦合金。

優選地，通過一次構圖工藝在形成有所述柵絕緣層的基板上形成像素電極、柵極和源漏極的步驟包括：

在形成有所述柵絕緣層的基板上依次形成第二透明導電薄膜和第二金屬薄膜；

在所述第二金屬薄膜上涂覆光刻膠；

采用灰色或半色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光、顯影，在所述基板上形成光刻膠全保留區域，光刻膠半保留區域以及光刻膠去除區域，其中，所述光刻膠全保留區域對應柵極、源漏極和數據線連接部圖形區域，所述光刻膠半保留區域對應像素電極圖形區域，所述光刻膠去除區域為除所述光刻膠全保留區域和所述光刻膠半保留區域之外的區域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區域的第二金屬薄膜和第二透明導電薄膜；

利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區域的第二金屬薄膜，形成像素電極的圖形；

剝離所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，露出所述柵極、源漏極和數據線連接部的圖形，其中，所述柵極通過所述第一過孔與所述柵線電連接，所述數據線連接部通過所述第二過孔將斷開的數據線連接起來，所述源漏極通過所述第三過孔與所述有源層電連接。

本發明還提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

基板；