[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410438315.4 | 申請日: | 2014-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN104217994B | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 寧策 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243 | 代理人: | 許靜,黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成包括公共電極、公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形,其中,所述公共電極線與所述公共電極連接,所述數(shù)據(jù)線在與所述柵線和所述公共電極線的分別交叉處斷開;
在形成有所述公共電極、公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線的基板上,形成絕緣層;
通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述絕緣層的基板上形成有源層的圖形;
在形成有所述有源層的基板上形成柵絕緣層,并通過一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成對應(yīng)于所述柵線的第一過孔、對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線的第二過孔和對應(yīng)于所述有源層的兩第三過孔;
通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述柵絕緣層的基板上形成包括像素電極、柵極和源漏極的圖形,所述柵極通過所述第一過孔與所述柵線電連接,所述數(shù)據(jù)線通過所述第二過孔電連接,并通過所述第二過孔與所述源極電連接,所述源極通過一所述第三過孔與所述有源層電連接,所述漏極通過另一所述第三過孔與所述有源層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成公共電極、公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形的步驟包括:
在所述基板上依次形成第一透明導(dǎo)電薄膜和第一金屬薄膜;
在所述第一金屬薄膜上涂覆光刻膠;
采用灰色或半色調(diào)掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影,在所述基板上形成光刻膠全保留區(qū)域,光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域,其中,所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線圖形區(qū)域,所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電極區(qū)域,所述光刻膠去除區(qū)域為除所述光刻膠全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域;
采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的第一金屬薄膜和第一透明導(dǎo)電薄膜;
利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠;
利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的第一金屬薄膜,形成公共電極的圖形;
剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠,露出所述公共電極線、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形,其中,所述公共電極線與所述公共電極連接,所述數(shù)據(jù)線在與所述柵線和所述公共電極線分別交叉的位置處斷開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第一金屬為銅基金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述銅基金屬為銅、銅鉬合金、銅鈦合金、銅鉬鎢合金、銅鉬鈮合金或銅鉬鈦合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述柵絕緣層的基板上形成像素電極、柵極和源漏極的步驟包括:
在形成有所述柵絕緣層的基板上依次形成第二透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜;
在所述第二金屬薄膜上涂覆光刻膠;
采用灰色或半色調(diào)掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影,在所述基板上形成光刻膠全保留區(qū)域,光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域,其中,所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵極、源漏極和數(shù)據(jù)線連接部圖形區(qū)域,所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)像素電極圖形區(qū)域,所述光刻膠去除區(qū)域為除所述光刻膠全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域;
采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的第二金屬薄膜和第二透明導(dǎo)電薄膜;
利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠;
利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的第二金屬薄膜,形成像素電極的圖形;
剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠,露出所述柵極、源漏極和數(shù)據(jù)線連接部的圖形,其中,所述柵極通過所述第一過孔與所述柵線電連接,所述數(shù)據(jù)線連接部通過所述第二過孔將斷開的數(shù)據(jù)線連接起來,所述源漏極通過所述第三過孔與所述有源層電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





