[發明專利]一種新型薄膜襯底LED器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410436426.1
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105374911B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 李宗濤;李宏浩;吳燦標;丁鑫銳
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425
• 代理人: 吳靜芝

本發明涉及一種新型薄膜襯底LED器件的制造方法，包括以下步驟：步驟1：制備厚度在0.4?1mm之間的至少具有一面線路的基板；步驟2：將至少一個LED芯片安裝在基板線路上；步驟3：將基板進行減薄；步驟4：利用金屬化工藝在減薄的基板底面制備出對應的電極；步驟5：對該LED芯片進行封裝；步驟6：對基板進行切割，分離出單個LED器件。本發明還提供了一種新型薄膜襯底LED器件，包括基板、LED芯片和封裝膠體；所述基板上設有兩個電極通孔，所述兩電極通孔上分別設有相互絕緣的第一導電層；所述兩電極通孔下方分別設有相互絕緣的第二導電層；所述LED芯片的正負電極分別安裝在兩相鄰的第一導電層上；所述封裝膠體包裹在LED芯片的四周。

技術領域

本發明涉及一種LED器件的制造方法，特別是一種新型薄膜襯底LED器件的制造方法；本發明還涉及一種新型薄膜襯底LED器件。

背景技術

隨著電子集成度越來越高，大功率LED器件的小型化是未來LED封裝的必然趨勢。芯片尺寸封裝CSP(chip scale package)是近些年最新提出來的封裝形式，CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況，相比傳統封裝體積減小了一倍以上。從而可使封裝密度得到大大提高，器件的生產效率也明顯提升。在此基礎上，可使封裝材料的成本得到有效控制。

但如此小的大功率器件封裝面臨著三個主要的技術瓶頸：1、封裝集成度高，功率密度大，散熱問題是CSP器件封裝首先要考慮的技術問題；2、CSP器件厚度薄，無論是基板制造、芯片鍵合、熒光粉涂覆均需要嚴格控制尺度精準，制造難度大；3、CSP器件尺寸非常小，極易造成基板碎裂等失效的產生。

現有技術中，LED用封裝陶瓷基板通常采用的是LTCC(低溫共燒)或HTCC(高溫共燒)技術，是利用氧化鋁或氮化鋁高純度粉末在燒結成形。然而。此種技術工藝最薄的基板只能制備0.2mm厚度，但此厚度的板在實際生產中很難使用，極易破碎。而常見的基板厚度需要在0.4mm左右，因此現有技術難以滿足基板厚度的要求。

而且，由于CSP器件尺寸非常小，極易造成基板碎裂等失效問題的產生，由于傳統CSP器件均是先制備薄膜基板，再進行管芯安放的步驟。而在管芯安放的過程中，一般通過錫膏對LED芯片的引腳與陶瓷基板上的導電層進行焊接。而焊接過程中對陶瓷基板的沖擊力很大，如果陶瓷基板過薄，很容易造成基板斷裂等現象。

發明內容

本發明在于克服現有技術的缺點與不足，提供一種新型薄膜襯底LED器件的制造方法。

本發明是通過以下的技術方案實現的：一種新型薄膜襯底LED器件的制造方法，包括以下步驟：

步驟1：制備厚度在0.5-1mm之間的基板；

步驟2：將LED芯片的正負引腳分別安裝在基板上；

步驟3：將基板進行減薄；

步驟4：利用金屬化工藝在減薄的基板底面制備出對應的電極；

步驟5：對該LED芯片進行封裝；

步驟6：對基板進行切割，分離出單個LED器件。

相比于現有技術，本發明采用先在常規陶瓷基板上安放管芯，然后進行基板剪薄處理，不會產生由于基板過薄而導致安放管芯的過程中沖擊基板使其斷裂，避免了由于傳統CSP器件均是先制備薄膜基板，再進行管芯安放的步驟，而造成基板斷裂的現象。

其次，本發明先對LED進行封裝，再對基板進行切割處理，分離成單個LED的制造方法，可以精確控制LED芯片周圍熒光粉的厚度，便于工業生產。

作為本發明的進一步改進，所述基板為陶瓷或硅；在步驟3中，通過一金剛石砂輪對該基板進行減薄，直至基板厚度為0.1-0.2mm。