[發(fā)明專利]一種新型薄膜襯底LED器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410436426.1
• 申請(qǐng)日: 2014-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105374911B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李宗濤;李宏浩;吳燦標(biāo);丁鑫銳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市國(guó)星光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 廣州駿思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44425
• 代理人: 吳靜芝

1.一種新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：制備厚度在0.4-1mm之間且至少具有一面線路的基板；

步驟2：將至少一個(gè)LED芯片安裝在基板的線路上；

步驟3：將基板進(jìn)行減薄，形成厚度為0.1-0.2mm的基板；

步驟4：利用金屬化工藝在減薄的基板底面制備出對(duì)應(yīng)的電極；

步驟5：對(duì)該LED芯片進(jìn)行封裝；

步驟6：對(duì)基板進(jìn)行切割，分離出單個(gè)LED器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：所述基板為陶瓷或硅；在步驟3中，通過(guò)一金剛石砂輪對(duì)該基板進(jìn)行減薄，直至基板厚度為0.1-0.2mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：在步驟1中，先在基板上鉆設(shè)至少兩個(gè)電極通孔；接著在每個(gè)電極通孔上方，通孔以外的區(qū)域鋪設(shè)第一導(dǎo)電層，相鄰兩第一導(dǎo)電層相互絕緣，形成至少具有一面線路的基板；

在步驟2中，將至少一個(gè)LED芯片的正負(fù)引腳分別安裝在兩相鄰的第一導(dǎo)電層上；

在步驟4中，在基板底面的每個(gè)電極通孔下方利用金屬化工藝在減薄的基板底面制備出對(duì)應(yīng)的電極，并對(duì)電極通孔進(jìn)行金屬填充，形成第二導(dǎo)電層，相鄰兩第二導(dǎo)電層電極相互絕緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：在步驟4中，先通過(guò)光刻工藝對(duì)電極以外的區(qū)域進(jìn)行膠體覆蓋，暴露出電極與電極通孔，利用電鍍或蒸鍍，或?yàn)R射工藝對(duì)基板的底部和電極通孔進(jìn)行金屬化形成第二導(dǎo)電層與導(dǎo)電電極通孔；

該基板底部形成的第二導(dǎo)電層通過(guò)該金屬化的電極通孔與第一導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：在步驟5時(shí)，通過(guò)在基板上涂覆封裝膠體，該封裝膠體包裹每個(gè)LED芯片的四周。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：所述封裝膠體為環(huán)氧樹(shù)脂或硅膠或硅樹(shù)脂，且該封裝膠體內(nèi)混合有散射顆粒、紅色熒光粉、黃色熒光粉、綠色熒光粉中的一種或幾種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：在對(duì)每個(gè)LED芯片完成膠體的封裝后，在相鄰兩個(gè)所述LED芯片之間分別設(shè)置一切割位標(biāo)志，且該切割位標(biāo)志位于基板邊緣處。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述新型薄膜襯底LED器件的制造方法，其特征在于：在步驟2中，基板上設(shè)置有多個(gè)LED芯片，相鄰兩個(gè)LED芯片的間距設(shè)置為0.3-1.0mm，此間距等于2倍芯片側(cè)面熒光粉厚度加上切割位標(biāo)志寬度。

9.一種新型薄膜襯底LED器件，其特征在于：該新型薄膜襯底LED器件由權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的制造方法制得，其包括基板、LED芯片和封裝膠體；

所述基板上設(shè)有兩個(gè)電極通孔，所述兩電極通孔的上方分別設(shè)置相互絕緣的第一導(dǎo)電層；所述電極通孔的下方分別設(shè)置相互絕緣的第二導(dǎo)電層；兩第一導(dǎo)電層分別通過(guò)電極通孔與兩第二導(dǎo)電層電連接；所述基板厚度為0.1-0.2mm，所述基板的寬度為0.3～1.0mm；

所述LED芯片的正負(fù)引腳分別安裝在兩相鄰的第一導(dǎo)電層上；

所述封裝膠體包裹在LED芯片的四周。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述新型薄膜襯底LED器件，其特征在于：所述LED芯片外圍的封裝膠體的包裹厚度為0.1-0.3mm。