[發明專利]發光二極管芯片封裝結構及其制造方法有效
| 申請號： | 201410434139.7 | 申請日： | 2014-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN105448903B | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發明（設計）人： | 張忠民;張簡千琳;吳雅婷 | 申請（專利權）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/075 | 分類號： | H01L25/075;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334 | 代理人： | 彭輝劍 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 芯片 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
固晶：提供一基板和若干LED芯片，將所述LED芯片固定于該基板一側；
打線：提供若干導線，利用該導線將所述LED芯片電性連接于該基板；
一次點膠：提供第一膠體，利用點膠方式將該第一膠體注于所述基板設有LED芯片的一側；
烘烤：烘烤所述膠體至半干，形成第一封裝層，且將所述第一封裝層的上表面形成為水平面作為支撐面；
二次點膠：提供第二膠體，在所述第一封裝層上注入該第二膠體,第二膠體的流動性小于第一膠體的流動性；
固化：烘烤所述膠體，使得二次點膠中的膠體形成第二封裝層，同時使第一封裝層和第二封裝層完全固化，固化后，所述第一封裝層的截面面積大于所述第二封裝層的截面面積。
2.如權利要求1所述的發光二極管芯片封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第一膠體的粘滯系數介于5000-6000mpas。
3.如權利要求2所述的發光二極管芯片封裝結構的制造方法，其特征在于：所述第二膠體的粘滯系數為3400mpas。
4.如權利要求1所述的發光二極管芯片封裝結構的制造方法，其特征在于：在一次點膠過程中，所述第一膠體通過自身的流動完全覆蓋所述LED芯片和所述導線。
5.如權利要求1所述的發光二極管芯片封裝結構的制造方法，其特征在于：在烘烤過程中，烘烤所述膠體至半干的標準是在二次點膠過程中，第二膠體不會使所述支撐面塌陷。
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