[發明專利]密封的半導體器件

在審

• 申請號: 201410434100.5
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN104425402A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: K.侯賽因;J.馬勒;I.尼基廷
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;徐紅燕

1.一種半導體器件，包括：

載體；

半導體芯片，安放在所述載體之上，其中所述半導體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，并且其中所述第二表面面對所述載體；

預密封劑，至少部分地覆蓋所述半導體芯片的所述第二表面并且至少部分地覆蓋所述半導體芯片的側壁表面，其中所述預密封劑包括等于或大于10W/（m·K）的熱導率以及等于或大于0.2J/（g·K）的比熱容。

2.權利要求1的所述半導體器件，其中所述預密封劑具有在所述第二表面之上的等于或大于20μm的厚度。

3.權利要求1的所述半導體器件，其中所述預密封劑具有在所述側壁表面之上的等于或大于20μm的厚度。

4.權利要求1的所述半導體器件，其中所述第一表面是所述半導體芯片的有源表面并且所述第二表面是所述半導體芯片的非有源表面。

5.權利要求1的所述半導體器件，其中所述預密封劑包括一層陶瓷或金屬層或包括一層陶瓷和金屬層的多層結構。

6.權利要求1的所述半導體器件，進一步包括：電絕緣密封材料，至少部分地覆蓋所述半導體芯片的所述第一表面以及在所述半導體芯片的所述側壁表面處的所述預密封劑。

7.權利要求1的所述半導體器件，其中所述預密封劑包括等于或大于40W/（m·K）的熱導率。

8.權利要求1的所述半導體器件，其中所述預密封劑包括等于或大于0.4J/（g·K）的比熱容。

9.權利要求1的所述半導體器件，其中所述半導體芯片的所述第二表面沒有任何芯片電極。

10.權利要求1的所述半導體器件，其中所述半導體芯片是基于GaN、SiGe、GaAs、AlGaN、InGaAs、InAlAs、SiC或Si的功率芯片。

11.權利要求1的所述半導體器件，其中所述預密封劑完全地覆蓋所述半導體芯片的所述第二表面。

12.權利要求1的所述半導體器件，其中所述預密封劑占主導地覆蓋所述半導體芯片的所述側壁表面。

13.一種半導體器件，包括：

載體；

半導體芯片，安放在所述載體之上，其中所述半導體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，并且其中所述第二表面面對所述載體；

預密封劑，至少部分地覆蓋所述半導體芯片的所述第二表面并且至少部分地覆蓋所述半導體芯片的側壁表面，其中所述預密封劑包括一層陶瓷或金屬層或包括一層陶瓷和金屬層的多層結構。

14.權利要求13的所述半導體器件，進一步包括：鍵合層，布置在所述預密封劑和所述載體之間并且配置成將所述預密封的半導體芯片機械地固定到所述載體。

15.權利要求14的所述半導體器件，其中所述鍵合層包括焊料材料或燒結材料或粘合劑。

16.一種制造半導體器件的方法，包括：

將預密封劑至少部分地淀積在半導體芯片的第二表面之上并且至少部分地淀積在所述半導體芯片的側壁表面之上，其中所述預密封劑包括等于或大于10W/（m·K）的熱導率以及等于或大于0.2J/（g·K）的比熱容；以及

將所述預密封的半導體芯片鍵合在載體上，其中在所述第二表面之上的所述預密封劑被布置在所述半導體芯片和所述載體之間。

17.權利要求16的所述方法，其中所述預密封劑通過CVD工藝、PVD工藝、等離子束工藝、流電淀積或無電淀積、溶膠凝膠工藝、或濺射而被淀積。

18.權利要求16的所述方法，進一步包括：在所述預密封劑和所述載體之間施加鍵合層以將所述預密封劑機械地固定到所述載體。

19.權利要求16的所述方法，進一步包括：

將所述半導體芯片放置在臨時載體上，其中所述第二表面背對所述臨時載體；

在所述半導體芯片的所述第二表面之上以及在沒有被所述半導體芯片覆蓋的所述臨時載體的部分之上淀積所述預密封劑；并且

結構化所述預密封劑以定義所述預密封劑的外圍側壁。

20.權利要求16的所述方法，其中淀積所述預密封劑包括：淀積一層陶瓷或金屬層。