[發(fā)明專利]密封的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410434100.5
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN104425402A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K.侯賽因;J.馬勒;I.尼基廷
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn);徐紅燕

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及封裝的技術(shù)，并且具體地涉及封裝半導(dǎo)體芯片的技術(shù)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件制造廠商正在不斷地力求提高他們產(chǎn)品的性能，同時降低他們制造的成本。在半導(dǎo)體器件制造中的成本密集區(qū)域是封裝半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件的性能取決于由封裝提供的熱逸散能力。以低花費提供高熱魯棒性的封裝方法是所期望的。封裝的進(jìn)一步方面涉及高絕緣強度、高擊穿強度和芯片保護(hù)。

出于這些和其它原因，存在對于本發(fā)明的需要。

附圖說明

附圖被包含以提供實施例的進(jìn)一步理解并且被結(jié)合在本說明書中并且組成本說明書的一部分。附圖圖解了實施例并且與描述一起用來解釋實施例的原理。其它實施例和實施例預(yù)期的優(yōu)勢中的許多將會被容易地意識到，因為通過參考以下詳細(xì)的描述它們變得更好理解。附圖的元件不必相對于彼此成比例。相似的參考數(shù)字標(biāo)明相應(yīng)的類似部分。

圖1A-1B示意性地圖解了包括預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的示范性半導(dǎo)體器件的截面視圖。

圖2A-2G示意性地圖解了制造包括預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的示范性工藝的截面視圖。

圖3A-3C示意性地圖解了制造預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的方法的示范性工藝的截面視圖。

圖4示意性地圖解了包括預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的示范性半導(dǎo)體器件的截面視圖。

圖5A-5C示意性地圖解了制造預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的方法的示范性工藝的截面視圖。

圖6示意性地圖解了包括預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的示范性半導(dǎo)體器件的截面視圖。

圖7A-7B示意性地圖解了制造預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的方法的示范性工藝的截面視圖。

圖8A-8B示意性地圖解了制造包括預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的示范性工藝的截面視圖。

圖9A-9C示意性地圖解了制造包括預(yù)密封的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的示范性工藝的截面視圖。

具體實施方式

在以下詳細(xì)的描述中對附圖進(jìn)行參考，附圖形成了它的一部分，并且通過圖解的方式示出了可以實踐本發(fā)明的特定實施例。在這點上，方向性的術(shù)語，諸如“頂”、“底”、“前”、“后”、“上”、“下”等等參考正被描述的（一個或多個）圖的定向而被使用。因為實施例的部件能夠被定位在許多不同的定向上，方向性的術(shù)語為了圖解的目的而被使用并且絕不是限制的。要被理解的是，其它實施例可以被利用并且可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)的或邏輯的變化而沒有脫離本發(fā)明的范圍。因此，以下詳細(xì)的描述不是以限制的意義理解，并且本發(fā)明的范圍被所附權(quán)利要求書定義。

要被理解的是，本文描述的各種示范性實施例的特征可以彼此結(jié)合，除非另外特定地指出。

如在本說明書中所采用的，術(shù)語“耦合的”和/或“連接的”不必通常表示元件必須直接地耦合或連接在一起。居間元件可以在“耦合的”或“連接的”元件之間被提供。然而盡管沒有限制到那樣的含義，術(shù)語“耦合的”和/或“連接的”也可以被理解成可選地公開一個方面，在其中元件被直接耦合或連接在一起而沒有在“耦合的”或“連接的”元件之間提供居間元件或?qū)印?/p>

本文描述含有半導(dǎo)體芯片的器件。在各種實施例中，水平半導(dǎo)體芯片可以被涉及。具有水平結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片只在其兩個主表面中的一個上，就是說在其有源（或頂）表面上，具有電極。

進(jìn)一步地，含有具有垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片的器件可以被涉及。在具有垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片中，電流能夠在垂直于半導(dǎo)體芯片主表面的方向中流動。具有垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片在其兩個主表面上，就是說在其頂側(cè)和底側(cè)上，具有電極。

半導(dǎo)體芯片可以從特定的半導(dǎo)體材料諸如比如Si、SiC、SiGe、GaAs、GaN、AlGaN、InGaAs、InAlAs等等被制造，并且此外可以含有不是半導(dǎo)體的無機和/或有機材料。

此外，本文描述的半導(dǎo)體器件可以可選地包含一個或多個邏輯集成電路以控制半導(dǎo)體芯片。邏輯集成電路可以包含一個或多個驅(qū)動器電路以驅(qū)動半導(dǎo)體芯片。邏輯集成電路可以例如是包含例如存儲器電路、電平移位器等等的微控制器。