[發明專利]倒裝形式的芯片封裝方法在審
| 申請號: | 201410433425.1 | 申請日: | 2014-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN104332419A | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發明(設計)人: | 林仲珉 | 申請(專利權)人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭棟梁 |
| 地址: | 226006 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 形式 芯片 封裝 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件封裝領域,尤其涉及一種倒裝形式的芯片封裝方法。?
背景技術
近年來,由于芯片的微電路制作朝向高集成度發展,因此,其芯片封裝也需向高功率、高密度、輕薄與微小化的方向發展。芯片封裝就是芯片制造完成后,以塑膠或陶磁等材料,將芯片包在其中,以達保護芯片,使芯片不受外界水汽及機械性損害。?
FC(Flip?Chip,倒裝芯片)是一種小尺寸、高密度的芯片封裝技術,相比于傳統封裝技術,如引線鍵合,FC直接以有源區面對基板,通過芯片I/O區的凸點(焊球)直接與基板形成互聯,大大減少了互聯長度,提高了芯片的電性能,同時也減小了封裝尺寸,具有更小、更薄的特點。參考圖1所示,為一采用現有倒裝形式的芯片封裝結構示意圖,其包括芯片11,基板12,芯片焊墊13,基板焊墊14和焊球15。其中,芯片焊墊位于芯片11的表面,以將芯片的電極性引出;焊球15位于芯片焊墊13和基板焊墊14之間,通過這樣的連接關系,將芯片11上的電極性通過基板12引出。?
然而在實際應用中,芯片11的I/O區的凸點(焊球)與基板連接過程中,由于適于每個凸點連接的面積極小,影響連接精確性以及連接強度。此外,由于回流過程中焊料的溢流容易造成凸點間短路,影響芯片的電氣性能。?
發明內容
本發明的目的是提供了一種倒裝形式的芯片封裝方法。?
本發明提供的一種倒裝形式的芯片封裝方法,包括以下步驟:?
在引線框架的引腳位置形成孔;?
在上述孔內設置焊料;?
將芯片上形成的導電柱與孔對位連接;?
進行回流焊將所述導電柱焊接于所述孔內。?
與現有技術相比,本發明的有益效果是,引線框架上指定位置形成的孔內印刷焊料,由于孔的存在,連接面積增大,提高凸點與引線框架的連接強度;回流過程中焊料的自對準效應更強,芯片位置更加準確,減少了焊料溢流造成凸點間的短路情況的發生,從而提高了電氣性能,降低生產成本。?
附圖說明
圖1為現有倒裝形式的芯片封裝結構的封裝示意圖。?
圖2為本發明實施例提供的倒裝形式的芯片封裝方法的流程圖。?
圖3為本發明實施例提供的引線框架的剖面圖。?
圖4為本發明實施例引線框架上開設通孔的結構示意圖。?
圖5為本發明實施例引線框架上開設盲孔的結構示意圖。?
圖6為本發明實施例引線框架的通孔內印刷焊料的結構示意圖。?
圖7為本發明實施例的倒裝形式的芯片的截面圖。?
圖8為本發明實施例的倒裝形式的芯片連接引線框架的截面圖。?
圖9為本發明實施例提供的底料填充后的截面圖。?
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。?
圖2為本發明實施例提供的倒裝形式的芯片封裝方法的流程圖,如圖2所示,本發明實施例提供的倒裝形式的芯片封裝方法包括以下步驟:?
S101,在引線框架的引腳位置形成孔;?
S102,在上述孔內設置焊料;?
S103,將芯片上的導電柱與孔對位連接;?
S104,進行回流焊將所述導電柱焊接于所述孔內。?
首先實施步驟S101,在引線框架的引腳位置形成孔。?
本發明提供的引線框架的剖面圖如圖3所示,引線框架10上引腳位置通過蝕刻、機械加工等方法形成特定大小的孔11,該孔可以為通孔,如圖4所示引線框架上可形成盲孔,當然,也可以如圖5所示引線框架上可形成通孔,所示通孔或者盲孔可以在制造框架時就形成也可以通過后續加工形成。?
然后實施步驟S102,在上述孔口內設有焊料。?
在本實施例中,如圖6所示,焊料12通過印刷的方式涂布在通孔11內,焊料12優選為錫膏。?
然后提供如圖7所示的帶有導電柱21的芯片20,通孔11的大小稍大于導電柱21的直徑,通孔11與導電柱21之間間隙配合。?
接著實施步驟S103,將芯片上的導電柱與孔對位連接。在這一實施步驟中,形成如圖8所示的結構,將芯片20的導電柱21與引線框架10上的通孔11對位壓合,使導電柱21遠離芯片20的一端進入通孔11的焊料12中。在焊料12回流后,焊料將伸入孔內部分的導電柱緊緊包覆。導電柱21與引線框架10連接固定并形成電性導通。芯片20上的導電柱21與通孔11連接后,芯片20和引線框架10間留有間隙30。?
然后實施步驟S104,進行回流焊將所述導電柱焊接于所述孔內。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





