[發(fā)明專利]倒裝形式的芯片封裝方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410433425.1 | 申請(qǐng)日： | 2014-08-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104332419A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林仲珉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/60 | 分類號(hào)： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭棟梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 倒裝 形式 芯片 封裝 方法 | ||
1.一種倒裝形式的芯片封裝方法，其特征在于，包括步驟：
在引線框架的引腳位置形成孔；
在上述孔內(nèi)設(shè)置焊料；
將芯片上形成的導(dǎo)電柱與孔對(duì)位連接；
進(jìn)行回流焊將所述導(dǎo)電柱焊接于所述孔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝形式的芯片封裝方法，其特征在于，所述孔為通孔或者盲孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝形式的芯片封裝方法，其特征在于，所述焊料為錫膏。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝形式的芯片封裝方法，其特征在于，所述焊料印刷在所述孔內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝形式的芯片封裝方法，其特征在于，所述導(dǎo)電柱為銅柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的倒裝形式的芯片封裝方法，其特征在于，所述芯片和所述引線框架間留有間隙，在所述間隙內(nèi)形成填充底料層，所述填充底料層包覆所述導(dǎo)電柱。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的倒裝形式的芯片封裝方法，其特征在于，所述填充底料層的填充材料為毛細(xì)底部填充膠或者模塑底部填充膠。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
