本發(fā)明提供了一種顯影液噴嘴檢驗(yàn)?zāi)０寮胺椒?，檢驗(yàn)?zāi)０灏ㄖ辽僖唤M形成在半導(dǎo)體基底上相互平行的切割道，以及在半導(dǎo)體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠；每條切割道的寬度大于等于顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；在進(jìn)行顯影噴嘴檢測時，將多個顯影噴嘴與一組切割道中的多個切割道一一對準(zhǔn)后，噴灑顯影劑，通過觀察噴灑顯影液后的條形光刻膠是否存在過顯影缺陷即可判斷出其臨近的切割道所對應(yīng)的顯影噴嘴發(fā)生損傷，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了對顯影噴嘴是否發(fā)生損壞進(jìn)行檢驗(yàn)的同時，對損壞的顯影噴嘴進(jìn)行準(zhǔn)確定位的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件制造過程中顯影液噴嘴檢驗(yàn)?zāi)０寮胺椒ā?/p>

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件制造工藝中，光刻是其中的一個重要步驟，在該步驟中利用曝光和顯影對晶圓表面形成的光刻膠進(jìn)行圖案化，然后通過刻蝕工藝將圖案化光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻工藝通常采用的步驟包括：首先，在晶圓表面涂覆光刻膠后，利用特定波長的光對覆蓋晶圓的光刻膠進(jìn)行選擇性照射，光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；在曝光過程結(jié)束后加入顯影液，一般是通過顯影噴嘴對已曝光的光刻膠噴灑顯影液，正性光刻膠的被照射區(qū)域、負(fù)性光刻膠的未被照射區(qū)域會溶液于顯影液，而剩余的未溶解的部分(正性光刻膠的未被照射區(qū)域和負(fù)性光刻膠的照射區(qū)域)則被保留，進(jìn)而形成圖案化的光刻膠；最后，利用該圖案化的光刻膠作為掩膜進(jìn)行刻蝕或離子注入，并在完成后去除光刻膠，得到期望的被處理晶圓。

光刻工藝中圖案化光刻膠的精度，即圖案化光刻膠的大小、尺寸等影響了半導(dǎo)體器件是否符合設(shè)計(jì)期望；而實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)中，圖案化光刻膠的精度取決于諸多因素，如曝光精度、顯影精度等等。其中，顯影是通過一系列顯影噴嘴對晶圓進(jìn)行噴灑顯影液完成的，現(xiàn)有的顯影設(shè)備中包括水平延伸的噴淋管，多個顯影噴嘴設(shè)置于噴淋管上，并在噴淋管延伸方向上等間隔排列。一般涂覆有光刻膠的晶圓上形成有切割道(scribe lane)，當(dāng)某一噴嘴發(fā)生損壞后，其噴灑的顯影液流量會發(fā)生變化，使得噴灑的顯影液存在噴灑不均勻的現(xiàn)象；在此基礎(chǔ)上，由于切割道的導(dǎo)流作用，導(dǎo)致顯影液聚集會聚集在切割道內(nèi)，使聚集有大量顯影液的切割道附近的光刻膠過顯影，進(jìn)而使得圖案化光刻膠精度降低，影響半導(dǎo)體器件合格率。

在現(xiàn)有技術(shù)中，尚無辦法對可能存在損壞的噴嘴進(jìn)行檢驗(yàn)的裝置和方法，并且無法對具體的損壞噴嘴進(jìn)行定位，僅能在出現(xiàn)上述問題，產(chǎn)生廢片后對噴淋管上的噴嘴進(jìn)行整體更換，因此增加了工藝成本。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種顯影液噴嘴檢驗(yàn)?zāi)０寮胺椒?，以?shí)現(xiàn)對顯影噴嘴是否發(fā)生損壞進(jìn)行檢驗(yàn)，并對損壞的顯影噴嘴進(jìn)行準(zhǔn)確定位，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品合格率。

本發(fā)明提供了一種顯影噴嘴檢驗(yàn)?zāi)０?，用于對顯影噴嘴進(jìn)行檢測，多個所述顯影噴嘴設(shè)置于水平延伸的噴淋管，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；所述顯影噴嘴檢驗(yàn)?zāi)０灏ò雽?dǎo)體基底以及圖案化光刻膠；

其中，所述半導(dǎo)體基底上形成有至少一組相互平行的切割道，每條所述切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；

所述圖案化光刻膠形成于所述切割道之間的半導(dǎo)體基底表面，所述圖案化光刻膠包括形成于半導(dǎo)體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體基底上形成有一組相互平行的第一切割道，以及與所述第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且所述第一、第二切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且兩相鄰所述第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰所述第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離。

進(jìn)一步，所述圖案化光刻膠包括形成于半導(dǎo)體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導(dǎo)體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體基底形成有零層對準(zhǔn)標(biāo)記。