[發明專利]顯影液噴嘴檢驗模板及方法

有效

• 申請號: 201410429457.4
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105404101B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 易旭東;王躍剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種顯影噴嘴檢驗模板，用于對顯影噴嘴進行檢測，所述顯影噴嘴的數量為多個，所述顯影噴嘴設置于水平延伸的噴淋管上，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；其特征在于，所述顯影噴嘴檢驗模板包括半導體基底以及圖案化光刻膠；

其中，所述半導體基底上形成有至少一組相互平行的切割道，每條所述切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；

所述圖案化光刻膠形成于所述切割道之間的半導體基底表面，所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠。

2.根據權利要求1所述的模板，其特征在于，所述半導體基底上形成有一組相互平行的第一切割道，以及與所述第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且所述第一、第二切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且兩相鄰所述第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰所述第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離。

3.根據權利要求2所述的模板，其特征在于，所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠。

4.根據權利要求3所述的模板，其特征在于，所述半導體基底形成有零層對準標記。

5.一種顯影噴嘴檢驗方法，用于對顯影噴嘴進行檢測，所述顯影噴嘴的數量為多個，所述顯影噴嘴設置于水平延伸的噴淋管上，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；其特征在于，包括：

提供顯影噴嘴檢驗模板，包括半導體基底以及圖案化光刻膠；所述半導體基底上形成有至少一組相互平行的切割道，每條所述切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；所述圖案化光刻膠形成于所述切割道之間的半導體基底表面，所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠；

將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準；

通過已對準的顯影噴嘴噴灑顯影劑；

待顯影完成后觀察所述條形光刻膠是否存在過顯影缺陷，若存在，則判斷存在過顯影缺陷的條形光刻膠臨近的切割道所對應的顯影噴嘴發生損傷。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述半導體基底形成有零層對準標記，所述將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準包括：

通過所述零層對準標記對半導體基底進行定位放置；

通過旋轉半導體基底將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述半導體基底上形成有一組相互平行的第一切割道，以及與所述第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且所述第一、第二切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且兩相鄰所述第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰所述第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；

所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠；

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，通過已對準的顯影噴嘴噴灑顯影劑時，所述顯影噴嘴沿與其對應的切割道延伸方向移動噴灑顯影劑。