[發明專利]一種降低驅動電壓的外延片，生長方法及LED結構有效
| 申請號： | 201410426072.2 | 申請日： | 2014-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN104157764A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 蘇軍 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京愛普納杰專利代理事務所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自剛 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 驅動 電壓 外延 生長 方法 led 結構 | ||
1.一種降低驅動電壓的外延片，其結構從下至上依次為：基板，GaN緩沖層，U型GaN層，n型GaN層，MQW發光層，p型AlGaN層，高溫p型GaN層，其特征在于：
所述的U型GaN層的厚度為U型GaN層形成平整表面時的厚度；
所述的n型GaN層包括：摻雜Si的第一GaN層，在所述的第一GaN層上是摻雜Si的第二GaN層。
2.根據權利要求1所述的降低驅動電壓的外延片，其特征在于：所述的U型GaN層的厚度為1.5～1.6μm。
3.根據權利要求2所述的降低驅動電壓的外延片，其特征在于：所述的第一GaN層還摻雜In。
4.根據權利要求1、2或3所述的降低驅動電壓的外延片，其特征在于：所述的第二GaN層還摻雜In。
5.一種降低驅動電壓的外延片的生長方法，依次包括處理基板，GaN緩沖層的步驟，其特征在于，還包括：
在所述的GaN緩沖層上生長U型GaN層，所述的U型GaN層的厚度為U型GaN層形成平整表面時的厚度；
保持溫度不變，在U型GaN層上生長摻雜Si的第一GaN層，然后，在所述的第一GaN層上生長摻雜Si的第二GaN層；
在所述的第二GaN層上依次生長MQW發光層，p型AlGaN層，高溫p型GaN層。
6.根據權利要求5所述的生長方法，其特征在于：
所述的第一GaN層摻雜Si的濃度為5E+18～6E+18atom/cm3；
所述的第二GaN層摻雜Si的濃度為8E+18～1E+19atom/cm3。
7.根據權利要求6所述的生長方法，其特征在于：
所述的第一GaN層還摻雜In，摻雜濃度為1E+18～5E+18atom/cm3。
8.根據權利要求6或7所述的生長方法，其特征在于：
所述的第一GaN層還摻雜In，摻雜濃度為1E+18～5E+18atom/cm3。
9.根據權利要求8所述的生長方法，其特征在于：
所述的U型GaN層的生長溫度在1100～1200℃，生長厚度為1.5～1.6μm；
所述的第一GaN層的生長厚度為2.5～3.0μm；
所述的第二GaN層的生長厚度為4～5μm。
10.一種LED結構，包括襯底，設置在所述襯底上的外延片，以及設置在所述外延片上的P電極和N電極，其特征在于，所述的外延片為權利要求1至3中任何一項所述的外延片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湘能華磊光電股份有限公司，未經湘能華磊光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410426072.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
