[發明專利]掩模版及其形成方法

有效

• 申請號: 201410425884.5
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN105446072B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 蔡博修;黃怡
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 萬鐵占;駱蘇華

一種掩模版及其形成方法，其中掩模版的形成方法包括：提供基板，基板包括透光板和非透光膜；在非透光膜中寫入布局圖案，布局圖案包括密集型圖案和孤立型圖案，密集型圖案包括平行排列的若干第一條形線，孤立型圖案包括平行排列的若干第二條形線；在相鄰兩第二條形線之間具有至少一個亞分辨率輔助圖案，亞分辨率輔助圖案包括條形圖案、位于條形圖案沿長度方向的側壁的若干間隔分布的凸部，條形圖案與第二條形線平行；使用清洗劑清洗寫入過程中產生的雜質；對掩模版進行甩干以去除殘留清洗劑。凸部增強了整個亞分辨率輔助圖案在透光板上的附著力，在甩干清洗劑的過程中，這降低了亞分辨率輔助圖案傾斜甚至從透光板上脫落的可能性。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種掩模版及其形成方法。

背景技術

在光刻過程中，通過曝光將掩模版上的布局圖案復制到半導體襯底上的光刻膠層中，該布局圖案可以是芯片圖案或對準標記圖案等。

在現有技術中，參照圖1，掩模版中的布局圖案包括密集(dense)型圖案1和孤立(isolate)型圖案2，密集型圖案1包括平行排列的若干第一條形線11，孤立型圖案2包括平行排列的若干第二條形線21，第一條形線11的分布密度大于第二條形線21的分布密度。在曝光過程中，曝光光線在通過掩模版的窗口后照射光刻膠層，光線會在光刻膠層中散射形成散射光，對應第一條形線11和第二條形線21的光刻膠層部分的邊緣會受到散射光的影響。但是，由于第一條形線和第二條形線分布密度的差異，相鄰兩第一條形線11之間的掩模版窗口尺寸小于相鄰兩第二條形線21之間的掩模版窗口尺寸，每個第一條形線11邊緣受到的散射光影響與每個第二條形線21邊緣受到的散射光影響不一致，最終得到的芯片圖案中，第一條形線11和第二條形線21的特征尺寸誤差不一致。

為解決上述問題，在相鄰兩第二條形線21之間設置有至少一條亞分辨率輔助圖案(Sub-resolution Assistant Feature，SRAF)22，輔助圖案22呈條狀，使得所有第二條形線21和輔助圖案22的分布密度與第一條形線11的分布密度基本相同。這樣，密集型圖案1中的窗口和孤立型圖案2中的窗口尺寸基本相同，在曝光過程中，輔助圖案22能夠補償相鄰的第二條形線21受到的散射光影響，使得光刻膠層中第一條形線和第二條形線的特征尺寸的誤差保持一致。而且，輔助圖案22的特征尺寸小于曝光設備的分辨率，輔助圖案22不會復制到光刻膠層中。

現有技術形成具有圖1所示布局圖案的掩模版的方法包括：

提供掩模版；在掩模版上形成光刻膠層；對光刻膠層進行圖形化，以定義布局圖案的位置；以圖形化后的光刻膠層為掩模，干法刻蝕掩模版形成布局圖案；使用清洗劑清洗干法刻蝕過程中的殘留物質，如反應生成物、污染物等；接著對掩模版進行甩干處理，清除殘留清洗劑。由于亞分辨率輔助圖案22的特征尺寸較小，在甩干過程中，亞分辨率輔助圖案可能會傾斜甚至脫落，造成亞分辨率輔助圖案在曝光過程中將無法起到補償散射光的作用。

發明內容

本發明解決的問題是，在掩模版形成過程中，亞分辨率輔助圖案會在甩干過程中傾斜甚至脫落。

為解決上述問題，本發明提供一種掩模版的形成方法，該掩模版的形成方法包括：

提供基板，所述基板包括透光板、位于所述透光板上的非透光膜；

在所述非透光膜中寫入布局圖案以形成掩模版，所述布局圖案包括密集型圖案和孤立型圖案，所述密集型圖案包括平行排列的若干第一條形線，所述孤立型圖案包括平行排列的若干第二條形線；

在相鄰兩第二條形線之間具有至少一個亞分辨率輔助圖案，所述亞分辨率輔助圖案包括條形圖案、位于所述條形圖案沿長度方向的側壁的若干間隔分布的凸部，所述條形圖案與第二條形線平行；

使用清洗劑清洗所述寫入過程產生的雜質；

對所述掩模版進行甩干以去除殘留的清洗劑。