[發(fā)明專(zhuān)利]掩模版及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410425884.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105446072B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡博修;黃怡 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/38 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/38 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 萬(wàn)鐵占;駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輔助圖案 條形線(xiàn) 掩模版 分辨率 清洗劑 條形圖案 透光板 圖案 布局圖案 非透光 孤立型 基板 甩干 凸部 附著力 間隔分布 寫(xiě)入過(guò)程 側(cè)壁 去除 平行 清洗 寫(xiě)入 殘留 | ||
1.一種掩模版的形成方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板包括透光板、位于所述透光板上的非透光膜;
在所述非透光膜中寫(xiě)入布局圖案以形成掩模版,所述布局圖案包括密集型圖案和孤立型圖案,所述密集型圖案包括平行排列的若干第一條形線(xiàn),所述孤立型圖案包括平行排列的若干第二條形線(xiàn);
在相鄰兩第二條形線(xiàn)之間具有至少一個(gè)亞分辨率輔助圖案,所述亞分辨率輔助圖案包括條形圖案、位于所述條形圖案沿長(zhǎng)度方向的側(cè)壁的若干間隔分布的凸部,所述條形圖案與第二條形線(xiàn)平行;
當(dāng)相鄰兩第二條形線(xiàn)之間具有至少兩個(gè)亞分辨率輔助圖案時(shí),在相鄰兩亞分辨率輔助圖案中,沿所述第二條形線(xiàn)的寬度方向,其中一亞分辨率輔助圖案的凸部與另一亞分辨率輔助圖案相鄰兩凸部之間的條形圖案部分相對(duì);
使用清洗劑清洗所述寫(xiě)入過(guò)程產(chǎn)生的雜質(zhì);
對(duì)所述掩模版進(jìn)行甩干以去除殘留的清洗劑。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,在所述非透光膜中寫(xiě)入布局圖案的方法包括:
在所述非透光膜上形成掩模層;
對(duì)所述掩模層進(jìn)行圖形化,圖形化后的掩模層定義布局圖案的位置;
以所述圖形化后的掩模層為掩模,刻蝕非透光膜形成布局圖案;
去除圖形化后的掩模層。
3.如權(quán)利要求2所述的掩模版的形成方法,其特征在于,所述掩模層為光刻膠層。
4.如權(quán)利要求3所述的掩模版的形成方法,其特征在于,對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行圖形化的方法包括:
在所述光刻膠層中寫(xiě)入布局圖案;
在所述光刻膠層中寫(xiě)入布局圖案后,對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行顯影或刻蝕以形成圖形化的光刻膠層。
5.如權(quán)利要求4所述的掩模版的形成方法,其特征在于,所述在光刻膠層中寫(xiě)入布局圖案的方法包括:光學(xué)直寫(xiě)、投影式電子束直寫(xiě)或掃描電鏡直寫(xiě)。
6.如權(quán)利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,使用聚焦離子束轟擊非透光膜,以在所述非透光膜中寫(xiě)入布局圖案。
7.如權(quán)利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每條所述第二條形線(xiàn)的中軸線(xiàn)到相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線(xiàn)的距離,等于相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線(xiàn)之間的距離。
8.如權(quán)利要求7所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每條所述第二條形線(xiàn)的中軸線(xiàn)到相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線(xiàn)的距離范圍為大于70nm。
9.如權(quán)利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每條所述第二條形線(xiàn)兩側(cè)的亞分辨率輔助圖案關(guān)于所述第二條形線(xiàn)對(duì)稱(chēng)。
10.如權(quán)利要求1所述的掩模版的形成方法,其特征在于,每條所述亞分辨率輔助圖案上的所有凸部沿條形圖案長(zhǎng)度方向等距分布。
11.一種掩模版,其特征在于,包括透光板和位于所述透光板上的非透光膜,在所述非透光膜中形成有布局圖案;
所述布局圖案包括密集型圖案和孤立型圖案;
所述密集型圖案包括平行排列的若干第一條形線(xiàn);
所述孤立型圖案包括平行排列的若干第二條形線(xiàn),在相鄰兩第二條形線(xiàn)之間具有至少一個(gè)亞分辨率輔助圖案;
所述亞分辨率輔助圖案包括條形圖案、位于所述條形圖案沿長(zhǎng)度方向的側(cè)壁的若干間隔分布的凸部,所述條形圖案與第二條形線(xiàn)平行;
當(dāng)相鄰兩第二條形線(xiàn)之間具有至少兩個(gè)亞分辨率輔助圖案時(shí),在相鄰兩亞分辨率輔助圖案中,沿所述第二條形線(xiàn)的寬度方向,其中一亞分辨率輔助圖案的凸部與另一亞分辨率輔助圖案相鄰兩凸部之間的條形圖案部分相對(duì)。
12.如權(quán)利要求11所述的掩模版,其特征在于,每條所述第二條形線(xiàn)的中軸線(xiàn)到相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線(xiàn)的距離,等于相鄰兩亞分辨率輔助圖案的條形圖案中軸線(xiàn)之間的距離。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線(xiàn)掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





