[發明專利]去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法

在審

• 申請號: 201410425861.4
• 申請日: 2014-08-27
• 公開（公告）號: CN104307781A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 國天增;賀賢漢
• 申請（專利權）人: 富樂德科技發展（天津）有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司 31203
• 代理人: 沈履君

技術領域

本發明屬于半導體制造領域，涉及一種清洗方法，特別是一種去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法。

背景技術

在傳統的半導體氧化膜化學氣相沉積工藝中，隨著反應的進行會產生很多反應生成物。這些反應生成物根據摻雜的反應氣體不同會生成磷硅玻璃(P₂O₅和SiO₂混合物)或硼硅玻璃(B₂O₃和SiO₂混合物)。這些生成物一部分會附著在反應室內壁上。附著在內壁上的這些氧化物膜會隨著工藝的繼續而不斷累積，這層薄膜穩定性不強，隨時可能從內壁上脫落下來而污染硅片，所以需要對反應室內裸露于工藝環境中的零件進行定期清洗。

通常的清洗手段是先用HNO₃/HF混合酸液浸泡，然后用去離子水清洗，最后高溫烤箱干燥。HNO₃和HF都是易揮發的酸液，造成這種混酸的消耗量大，高溫烤箱烘烤工藝時間長(一般用時在10小時以上)，整個清除過程耗時耗力，清洗效果也不理想。

發明內容

本發明的目的在于提供一種有效去除附著于陶瓷零件表面的氧化物薄膜的去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法。

為解決上述技術問題，本發明去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法，包括如下步驟：S1，使用堿性溶液對零件進行浸泡；S2，使用酸性溶液對零件進行清洗；S3，對零件進行清洗；S4，對零件進行干燥。

所述步驟S1之前還包括一預處理步驟S0；其中

所述步驟S0包括：

S0.1，使用超純水對零件進行沖洗；和/或

S0.2，使用N₂或干凈的壓縮空氣吹干零件。

所述步驟S1包括還一步驟S1.1，所述步驟S1.1為對零件使用超純水進行漂洗處理。

所述步驟S2包括還一步驟S2.1，所述步驟S2.1為對零件使用超純水進行溢流處理。

所述堿性溶液的配比為KOH:H₂O＝1千克KOH:5升H₂O。

KOH可用NaOH、NaHCO₃或Na₂CO₃代替。

所述堿性溶液的溫度為70℃～80℃。

所述步驟S1中，零件在所述堿性溶液中浸泡的時間為1小時～2小時。

所述酸性溶液的配比為體積比HCL:HF:H₂O＝1:1:2。

所述步驟S2中，零件在所述酸性溶液中清洗的時間為3分鐘～5分鐘。

所述步驟S3包括：

S3.1，對零件進行粗洗；

S3.2，對零件進行精洗。

所述步驟S3.1中的粗洗清潔液為超純水。

所述粗洗清潔液的溫度為50℃。

所述步驟S3.1中，利用超聲波對零件進行清洗。

所述超聲波的頻率為25KHz。

所述超聲波的能量密度為25瓦/加侖～35瓦/加侖。

所述步驟S3.1中，零件粗洗的時間大于等于30分鐘。

所述步驟S3.2中的精洗清潔液為18兆歐的去離子水。

所述精洗清潔液的溫度為50℃。

所述步驟S3.2中，利用超聲波對零件進行清洗。

所述超聲波的頻率為40KHz。

所述超聲波的能量密度為25瓦/加侖～35瓦/加侖。

所述步驟S3.2中，零件精洗的時間大于等于30分鐘。

所述步驟S4中，是將零件置于高溫烘箱中，在800℃的環境下烘烤1.5小時～2小時，然后降到50℃～60℃，取出零件。

本發明去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法操作簡單，耗時少，能耗低、可以保證完成去除氧化物薄膜、清洗效果理想，對陶瓷零件損傷小。

附圖說明

圖1為本發明去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法作進一步詳細說明。

如圖1所示，本發明去除附著于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法包括弱堿液浸泡、酸洗、粗洗、精洗和高溫干燥五步。