[發明專利]半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201410424653.2
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN104201107B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 鞠韶復
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種半導體器件的制備方法，包括：

提供一襯底，所述襯底包含N阱和P阱，所述襯底上形成有一柵極，所述柵極分別覆蓋部分所述N阱和部分所述P阱，所述柵極的兩側形成有第一側墻；

在所述N阱中形成一凹槽，所述凹槽位于所述第一側墻背離所述柵極的一側；

在所述凹槽的側壁和所述柵極的兩側形成第二側墻，所述第一側墻位于所述第二側墻和柵極之間；以及

進行離子注入工藝，在所述P阱中形成一源極，并在所述N阱中形成一漏極，所述凹槽位于所述漏極和柵極之間。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述凹槽的側壁和所述柵極的兩側形成第二側墻的步驟和進行離子注入工藝的步驟之間，還包括：

在所述襯底上形成一覆蓋所述凹槽的阻擋層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋層為硅化物阻擋層。

4.如權利要求1～3中任意一種所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述P阱還包含輕摻雜漏區，所述輕摻雜漏區位于所述柵極的一側。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一側墻的材料為氧化物。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二側墻的材料為氮化物。