[發(fā)明專利]籠合物及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410424124.2 | 申請日: | 2014-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN104328500B | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐靜濤;劉永福;秦海明;蔣俊;江浩川 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號: | C30B29/52 | 分類號: | C30B29/52;C30B9/12;H01L35/14 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
| 地址: | 315201 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 籠合物 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及熱電材料,特別是涉及一種籠合物及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
熱電材料可以實(shí)現(xiàn)熱能與電能之間的相互轉(zhuǎn)換。由熱電材料制作的熱電器件具有無噪聲、無磨損、體積小等優(yōu)點(diǎn),對于提高傳統(tǒng)能源利用率具有重要的意義。
熱電材料的性能由熱電優(yōu)值(ZT值)決定:ZT=S2σT/κ,其中,S為塞貝克系數(shù),σ為電導(dǎo)率,κ為熱導(dǎo)率,T為絕對溫度。由此可見,要得到高的ZT值,需要材料具有較高的塞貝克系數(shù)、較高的電導(dǎo)率以及較低的熱導(dǎo)率,但是這些參數(shù)存在較強(qiáng)的相關(guān)性,難以協(xié)同調(diào)控。上世紀(jì)90年代,G.Slack提出“聲子玻璃電子晶體”概念,認(rèn)為好的熱電材料應(yīng)該像玻璃一樣具有較低的熱導(dǎo)率,同時(shí)像晶體一樣具有較高的電導(dǎo)率。
籠合物具有載流子濃度受控可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)、具有良好的熱電材料潛力。然而,目前的籠合物的合成多以熔融方式(電弧爐電弧熔融或感應(yīng)爐感應(yīng)熔融)或固相反應(yīng)的方式進(jìn)行,得到的籠合物為多晶。多晶樣品中雜質(zhì)、邊界較多,降低了載流子的遷移率,造成材料的ZT值難以提升。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有較高ZT值的籠合物,以及該籠合物的制備方法和應(yīng)用。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種籠合物,所述籠合物的化學(xué)式為Ba8CuxGe46-x,其中,x為摩爾系數(shù),且0.5≤x≤6;且所述籠合物為單晶。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述籠合物屬于立方晶系,空間點(diǎn)群為
一種所述的籠合物的制備方法,包括以下步驟:
S100:按照所述籠合物中各組分的化學(xué)計(jì)量比稱取含有Ba元素、Cu元素和Ge元素的反應(yīng)原料;
S200:將所述稱取的反應(yīng)原料放入坩堝,并添加助熔劑;或先利用所述稱取的反應(yīng)原料制備出多晶前驅(qū)體,再將所述多晶前驅(qū)體放入坩堝,并添加助熔劑;
S300:將所述添加有助熔劑的坩堝抽真空后密封;
S400:將所述密封的坩堝置于高溫爐中,升溫至900℃~1200℃后,保溫12h~72h,然后降溫至250℃~700℃,得到籠合物與助熔劑的混合物;
S500:在250℃~700℃下取出所述坩堝,將所述籠合物與所述助熔劑分離;
S600:將所述坩堝冷卻至室溫,取出所述籠合物。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,S200中,利用所述稱取的反應(yīng)原料制備出多晶前驅(qū)體包括以下步驟:
將所述稱取的反應(yīng)原料放入坩堝,將所述坩堝抽真空后密封,再放入高溫爐中于950℃~1050℃下燒結(jié)4h~8h,得到多晶前驅(qū)體;
或?qū)⑺龇Q取的反應(yīng)原料放入坩堝,置于感應(yīng)電爐或電弧爐中,通入惰性氣體或還原氣體,在950℃~1050℃下熔融4~8小時(shí),得到多晶前驅(qū)體。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述反應(yīng)原料為Ba、Cu、Ge的單質(zhì),或者是Ba6Ge25化合物與Cu和Ge的單質(zhì)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,S400中,以5℃/min~10℃/min的速度升溫至900℃~1200℃;
以0.2℃/h~5℃/h的速率降溫至250℃~700℃;或者先以5℃/h~10℃/h的速率降溫至850℃~950℃后,再以0.2℃/h~5℃/h的速率降溫至250℃~700℃。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述助熔劑為Sn或In。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,S200中,所述添加的助熔劑的摩爾量與所述稱取的反應(yīng)原料中Ba元素的摩爾量之比為(1~8):1。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,S300中,采用氫氧焰、氧炔焰、煤氣氧氣火焰或氬氣等離子火焰對所述坩堝進(jìn)行密封。
一種所述的籠合物在熱電發(fā)電器件或熱電制冷器件中的應(yīng)用。
本發(fā)明的有益效果如下:
本發(fā)明的籠合物為單晶結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)的多晶Ba-Cu-Ge基籠合物相比,單晶結(jié)構(gòu)的Ba-Cu-Ge基籠合物中雜質(zhì)含量和晶體中的邊界明顯減少,從而提高了載流子的遷移速率;同時(shí),由于籠合物中填充原子的尺寸、質(zhì)量直接影響材料的晶格參數(shù),因此,填充原子對材料的熱導(dǎo)率影響較大,本發(fā)明采用Ba原子作為填充原子,降低了材料的熱導(dǎo)率;由于熱電優(yōu)值與載流子的遷移速率成正比,而與熱導(dǎo)率成反比,因此,本發(fā)明的籠合物具有較高的熱電優(yōu)值。
本發(fā)明的籠合物的制備方法,利用助熔劑法進(jìn)行籠合物的制備,可得到熱電性能優(yōu)異的單晶材料,獲得的單晶尺寸較大,元素分布均勻,且該制備方法重復(fù)率高,制備過程簡單,可用于大規(guī)模的生產(chǎn)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410424124.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:摩托車殼體凹點(diǎn)及連接孔加工裝置
- 下一篇:一種硼酸鋁晶須制備方法





