[發(fā)明專利]發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法以及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410422912.8
• 申請日: 2014-08-25
• 公開（公告）號: CN104425556B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 腰原健;野澤陵一
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/22
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法以及電子設(shè)備。該發(fā)光裝置包括：晶體管；光反射層；第一絕緣層，其具有第一層厚的部分、第二層厚的部分以及第三層厚的部分；像素電極，其設(shè)置在第一絕緣層上；第二絕緣層，其覆蓋像素電極的周邊部；發(fā)光功能層；對置電極；以及導電層，其設(shè)置在第一層厚的部分上。像素電極具有設(shè)置在第一層厚的部分的第一像素電極、設(shè)置在第二層厚的部分的第二像素電極、以及設(shè)置在第三層厚的部分的第三像素電極。第一像素電極、第二像素電極以及第三像素電極經(jīng)由導電層與晶體管連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法以及搭載有該發(fā)光裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)

作為發(fā)光裝置的一個例子，例如提出了將有機電致發(fā)光(以下稱為有機EL)元件配置成矩陣狀的電光裝置(專利文獻1)。專利文獻1所記載的電光裝置是將具有薄膜晶體管，并發(fā)出光的像素配置為矩陣狀的有源矩陣型的發(fā)光裝置。在像素依次層疊有光反射層、透光性絕緣膜、第一電極(像素電極)、隔壁層、發(fā)光功能層以及第二電極(對置電極)。

從未被隔壁層覆蓋的區(qū)域的像素電極向發(fā)光功能層供給電流，發(fā)光功能層發(fā)光。即，未被隔壁層覆蓋的區(qū)域(未形成隔壁層的區(qū)域)成為發(fā)光區(qū)域。并且，像素電極被設(shè)置為覆蓋接觸孔，像素電極和薄膜晶體管經(jīng)由接觸孔電連接。即，像素電極和薄膜晶體管電連接的部分成為接觸區(qū)域。像素電極跨發(fā)光區(qū)域以及接觸區(qū)域而設(shè)置。

透光性絕緣膜具有調(diào)整光反射層和對置電極之間的光學距離的作用，透光性絕緣膜的膜厚被設(shè)置為滿足第一像素的發(fā)光區(qū)域＞第二像素的發(fā)光區(qū)域＞第三像素的發(fā)光區(qū)域＞接觸孔的形成區(qū)域(接觸區(qū)域)這樣的關(guān)系。

通過這樣的結(jié)構(gòu)(光共振構(gòu)造)，在發(fā)光功能層發(fā)出的光在光反射層和對置電極之間往復(fù)，并有選擇地放大與光反射層和對置電極之間的光學距離，即與透光性絕緣膜的膜厚對應(yīng)的共振波長的光，并從各像素射出。專利文獻1所記載的電光裝置通過上述光共振構(gòu)造從各像素例如射出峰值波長為610nm的紅色的波長區(qū)域的光、峰值波長為540nm的綠色的波長區(qū)域的光、以及峰值波長為470nm的藍色的波長區(qū)域的光，即，射出顏色純度高的光作為顯示光，具有優(yōu)越的顏色再現(xiàn)性。

專利文獻1：日本特開2009－134067號公報

如上所述，在專利文獻1所記載的電光裝置中，具有發(fā)光區(qū)域的透光性絕緣膜的膜厚＞接觸區(qū)域的透光性絕緣膜的膜厚這樣的關(guān)系，所以在發(fā)光區(qū)域和接觸區(qū)域之間形成光學距離不同的邊界(透光性絕緣膜的膜厚不同的邊界)。

在專利文獻1所記載的電光裝置中，存在為了得到更明亮的顯示而要擴大發(fā)光區(qū)域，則該邊界成為障礙而難以擴大發(fā)光區(qū)域這樣的課題。

詳細而言，若越過該邊界來擴大發(fā)光區(qū)域，則在發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生光學距離不同的部分。若光學距離不同則共振波長變化，所以從發(fā)光區(qū)域發(fā)出不同的共振波長的光，從發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光的顏色純度降低。因此，存在難以越過該邊界來擴大發(fā)光區(qū)域這樣的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例來實現(xiàn)。

應(yīng)用例1

本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置的特征在于，包括：晶體管；光反射層，其設(shè)置于上述晶體管的上方；第一絕緣層，其覆蓋上述光反射層，并具有第一層厚的部分、比上述第一層厚的部分厚的第二層厚的部分以及比上述第二層厚的部分厚的第三層厚的部分；像素電極，其設(shè)置在上述第一絕緣層上并具有光透過性；第二絕緣層，其覆蓋上述像素電極的周邊部；發(fā)光功能層，其覆蓋上述像素電極以及上述第二絕緣層；對置電極，其覆蓋上述發(fā)光功能層并具有光反射性和光透過性；以及導電層，其設(shè)置在上述第一層厚的部分上，該導電層的至少一部分與上述像素電極平面重疊，上述像素電極具有設(shè)置于上述第一層厚的部分的第一像素電極、設(shè)置于上述第二層厚的部分的第二像素電極、以及設(shè)置于上述第三層厚的部分的第三像素電極，上述第一像素電極、上述第二像素電極以及上述第三像素電極經(jīng)由上述導電層與上述晶體管連接。