[發明專利]發光裝置、發光裝置的制造方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201410422912.8 | 申請日: | 2014-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN104425556B | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 腰原健;野澤陵一 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;李洋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種發光裝置,其特征在于,包括:
晶體管;
光反射層,其設置于所述晶體管的上方;
第一絕緣層,其覆蓋所述光反射層,并具有第一層厚的部分、比所述第一層厚的部分厚的第二層厚的部分以及比所述第二層厚的部分厚的第三層厚的部分;
像素電極,其設置在所述第一絕緣層上且具有光透過性;
第二絕緣層,其覆蓋所述像素電極的周邊部;
發光功能層,其覆蓋所述像素電極以及所述第二絕緣層;
對置電極,其覆蓋所述發光功能層,并具有光反射性和光透過性;以及
導電層,其設置在所述第一層厚的部分上,該導電層的至少一部分與所述像素電極平面重疊,
所述像素電極具有設置于所述第一層厚的部分的第一像素電極、設置于所述第二層厚的部分的第二像素電極、以及設置于所述第三層厚的部分的第三像素電極,
所述第一像素電極、所述第二像素電極以及所述第三像素電極經由所述導電層與所述晶體管連接。
2.根據權利要求1所述的發光裝置,其特征在于,
所述第一絕緣層具有從所述反射層的一側依次層疊的第一絕緣膜、第二絕緣膜以及第三絕緣膜,
所述第一絕緣膜具有所述第一層厚,
層疊有所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的部分具有所述第二層厚,
層疊有所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜以及所述第三絕緣膜的部分具有所述第三層厚,
所述導電層具有第一導電層、第二導電層以及第三導電層,
所述第一像素電極與所述第一導電層直接相接,
所述第二像素電極經由貫穿所述第二絕緣膜的第一接觸孔與所述第二導電層連接,
所述第三像素電極經由貫穿所述第二絕緣膜以及所述第三絕緣膜的第二接觸孔與所述第三導電層連接。
3.根據權利要求2所述的發光裝置,其特征在于,
所述第一像素電極設置在所述第一層厚的部分中,所述第二像素電極設置在所述第二層厚的部分中。
4.根據權利要求1~3中任意一項所述的發光裝置,其特征在于,
所述第一像素電極、所述第二像素電極以及所述第三像素電極在第一方向上排列而配置,
所述第一層厚的部分以及所述第二層厚的部分呈在與所述第一方向交差的第二方向上延伸的矩形形狀。
5.根據權利要求1所述的發光裝置,其特征在于,
所述第一絕緣層具有依次層疊在所述光反射層的一側的第一絕緣膜和有機絕緣層,
所述有機絕緣層具有第一平坦部和比所述第一平坦部厚的第二平坦部,
所述第一絕緣膜具有所述第一層厚,
層疊有所述第一絕緣膜和所述第一平坦部的部分具有所述第二層厚,
層疊有所述第一絕緣膜和所述第二平坦部的部分具有所述第三層厚,
所述導電層具有第一導電層、第二導電層以及第三導電層,
所述第一像素電極與所述第一導電層直接相接,
所述第二像素電極經由貫穿所述第一平坦部的第一接觸孔與所述第二導電層連接,
所述第三像素電極經由貫穿所述第二平坦部的第二接觸孔與所述第三導電層連接。
6.根據權利要求5所述的發光裝置,其特征在于,
所述有機絕緣層具有使用感光性樹脂材料形成的第一有機絕緣膜和第二有機絕緣膜,
所述第一平坦部由所述第一有機絕緣膜構成,所述第二平坦部由所述第一有機絕緣膜和所述第二有機絕緣膜構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





