[發明專利]封裝結構的制法

有效

• 申請號: 201410421722.4
• 申請日: 2014-08-25
• 公開（公告）號: CN105405775B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 陳彥亨;詹慕萱;紀杰元
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種封裝結構的制法，包括：

提供一包覆至少一電子元件的封裝層，其中，該封裝層具有相對的第一表面及第二表面，該電子元件具有相對的作用面與非作用面，且該電子元件嵌埋于該封裝層中；

形成一金屬定型層于該封裝層的第一表面上，且該金屬定型層具有至少一開口，以令該封裝層的部分第一表面外露于該開口；

以激光方式形成連通該封裝層的第一及第二表面的至少一通孔，且該金屬定型層吸收激光的熱效應，其中，該通孔形成于對應該開口處；以及

形成導電體于該通孔中。

2.如權利要求1所述的封裝結構的制法，其特征為，該封裝層以模封制程或壓合制程形成者。

3.如權利要求1所述的封裝結構的制法，其特征為，該電子元件的作用面齊平該封裝層的第一表面。

4.如權利要求1所述的封裝結構的制法，其特征為，于形成該金屬定型層之前，形成導電層于該封裝層的第二表面上。

5.如權利要求4所述的封裝結構的制法，其特征為，于形成該導電體之后，于該導電層上制作線路構造，以令該線路構造電性連接該導電體。

6.如權利要求4所述的封裝結構的制法，其特征為，該導電層為金屬層。

7.如權利要求1所述的封裝結構的制法，其特征為，該制法還包括移除該金屬定型層，以制作線路構造于該封裝層的第一表面上，以令該線路構造電性連接該導電體及/或該電子元件。

8.如權利要求7所述的封裝結構的制法，其特征為，該線路構造包含至少一線路重布層。

9.如權利要求1所述的封裝結構的制法，其特征為，于形成該導電體之后，還包括利用該金屬定型層制作線路構造。

10.如權利要求9所述的封裝結構的制法，其特征為，該線路構造包含至少一線路重布層。