[發明專利]封裝結構的制法

有效

• 申請號: 201410421447.6
• 申請日: 2014-08-25
• 公開（公告）號: CN105304583B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 陳彥亨;詹慕萱;紀杰元;林畯棠
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/544;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝結構的制法，尤指一種可減少制程的半導體封裝結構的制法。

背景技術

隨著電子產業的發達，現今的電子產品已趨向輕薄短小與功能多樣化的方向設計，半導體封裝技術也隨之開發出不同的封裝型態。為滿足半導體裝置在功能上性能、功率及速度等需求，以及在型態上微型化與半導體裝置整合等需求，遂發展出堆迭式封裝結構(Package on package，POP)的技術。

圖1A至圖1B為現有用于堆迭式封裝結構的封裝結構的制法的剖視示意圖。

如圖1A所示，提供一具有多個電性接觸墊101與導電盲孔102的承載件10，將具有多個電極墊110的電子元件11以其電極墊110電性連接于該導電盲孔102，形成封裝膠體12以包覆該電子元件11及該些電性接觸墊101，進行研磨制程使該電子元件11的表面外露于該封裝膠體12。

如圖1B所示，以激光制程形成供該些電性接觸墊101外露的開口121，后續將于該開口121中填充導電元件(未圖示)，供后續堆迭的另一封裝件電性連接該電性接觸墊101，以完成一堆迭式封裝結構。

然而，由于上述現有的封裝結構的該些電性接觸墊101被包覆于無法透光的封裝膠體12內，而無法確認該些電性接觸墊101的位置，致使無法或精確形成該開口121，而產生該開口121的位置誤差現象。

此外，以激光制程形成該開口121，不僅造成于該開口121附近產生殘渣，又由于一般開口121數量很多(I/O數量多)且激光僅能逐一形成該開口121，激光制程時間長，且激光設備昂貴，所以藉由激光燒灼方式形成該開口121的制法的成本較高，并需以清洗制程去除殘渣才可接著形成導電盲孔，遂而導致制程增加，而使制造成本隨之提高，此外，由于清洗制程后使該開口121側壁凹凸不平，而于外接導電元件時容易于該開口121處產生剝離(peeling)現象，導致封裝結構的可靠度降低。

因此，如何克服上述現有技術的種種問題，實已成為目前業界亟待克服的難題。

發明內容

鑒于上述現有技術的種種缺失，本發明的目的為提供一種，藉此簡化制程而能有效降低成本，提升產品可靠度。

本發明的封裝結構包括：電子元件，其具有相對的作用面與非作用面，且該作用面具有多個電極墊；封裝膠體，其包覆該電子元件，且具有外露該作用面的第一表面及相對該第一表面的第二表面；多個導電元件，其貫穿該封裝膠體的第一表面與第二表面，該導電元件為金屬球；以及線路重布層，其形成于該第一表面與作用面上，且電性連接于該些電極墊與導電元件。

本發明還提供一種封裝結構的制法，包括：于該第一承載板的一表面上依序形成金屬層與具有多個開孔的介電層，該開孔外露該金屬層，并將具有相對的作用面與非作用面的電子元件以該作用面接置于該介電層上，且該作用面具有多個電極墊，并于該介電層的開孔中的金屬層上接置多個導電元件，該導電元件為金屬球；于該介電層上形成封裝膠體，以包覆該電子元件與導電元件，該封裝膠體具有外露該作用面的第一表面及相對該第一表面的第二表面；移除該第一承載板；以及將該金屬層圖案化為第一線路，并于該介電層上形成第二線路，該第二線路電性連接于該些電極墊與第一線路。

由上可知，藉由先接置多個導電元件、再形成封裝膠體，并外露該導電元件于封裝膠體的相對兩表面，而不需以激光制程逐一形成多個封裝膠體開口及無需于該封裝膠體開口中形成導電元件，且無需進行激光后的開口清洗制程，并無需具備激光設備，故本發明的制法能減少制程步驟，且縮短制程時間，并降低制造成本。此外，還能避免因激光所形成的側壁凹凸不平的該開口而產生導電元件剝離(peeling)的問題，進而提升封裝結構的可靠度及良率。

附圖說明

圖1A至圖1B為現有用于堆迭式封裝結構的封裝結構的制法的剖視示意圖。

圖2A至圖2J為本發明的封裝結構的制法的剖視示意圖，其中，圖2C’為圖2C的另一實施例，圖2F’為圖2F的另一實施例，圖2I’為圖2I的另一實施例。

圖3為本發明的堆迭式封裝結構的剖視示意圖。

符號說明

10 承載件

101電性接觸墊

102,270導電盲孔

11 電子元件

12,25封裝膠體

121,281開口

110,2401 電極墊

2,3封裝結構

2’ 封裝件

20 第一承載板

20’粘著層

21 金屬層