[發明專利]磁控濺射設備及磁控濺射方法

有效

• 申請號: 201410418300.1
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN104213089A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 張峰;杜曉健;辛旭;李巖
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及磁控濺射技術領域，尤其涉及一種磁控濺射設備及磁控濺射方法。

背景技術

磁控濺射作為一種鍍膜方法，廣泛應用在各個領域。例如，顯示器中陣列基板的制作過程中，需要通過磁控濺射技術將金屬膜沉積到基板上。具體地，磁控濺射設備包括陽極和陰極，其中陰極包括靶材，陽極上設置有基板，在陽極和陰極之間形成的電磁場作用下，荷能粒子轟擊靶材，使靶材原子(或分子)從表面逸出并淀積在基板上形成薄膜。

然而，在磁控濺射技術中，在磁場強的地方等離子體濃度高，靶材消耗快，而在磁場較弱的地方等離子體濃度低，靶材消耗較慢，造成了靶材消耗不均勻，總有一部分靶材會先耗盡。當部分靶材被耗盡時，可能會造成基板上形成薄膜不均勻等問題。為防止部分靶材被耗盡帶來的工藝影響及潛在的危險，靶材一般都要提前被換下。因此一般情況下，靶材在進行更換時都有一定的剩余，造成了靶材實際利用率低。

發明內容

本發明的實施例提供一種磁控濺射設備及磁控濺射方法，可檢測到部分靶材是否被耗盡，從而能夠根據實際情況對靶材進行更換，提高了靶材的實際利用率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明的實施例提供一種磁控濺射設備，包括：

一密封腔室以及設置于所述密封腔室中且相對設置的陽極和陰極，與所述陽極和陰極連接的電源；

所述陰極包括：與所述電源連接的導電背板；

設置于所述導電背板靠近所述陽極一側的靶材；

設置于所述導電背板與所述靶材之間的絕緣層，所述靶材電連接于所述導電背板。

可選的，所述磁控濺射設備還包括檢測裝置，所述檢測裝置用于檢測所述陽極與陰極之間的電壓值或電流值。

可選的，所述靶材通過周邊的導體材料連接于所述導電背板。

優選的，所述絕緣層對應于所述靶材的至少部分區域，所述靶材的至少部分區域包括磁控濺射設備中磁場不低于平均磁場的位置。

可選的，所述絕緣層為硅酸鹽膠。

可選的，所述陽極靠近所述陰極的一側設置有基臺，所述基臺用于固定待濺射的基板。

優選的，所述靶材為金屬或金屬氧化物。

本發明實施例提供了一種磁控濺射方法，應用于上述的磁控濺射設備，所述磁控濺射方法包括：

將待濺射基板設置于所述磁控濺射設備中陽極靠近陰極的一側；

對所述磁控濺射設備中陽極和陰極所在的密封腔室抽真空；

在所述密封腔室中通入惰性氣體；

開啟所述磁控濺射設備中的電源，使所述陽極和陰極形成回路以進行濺射工藝；

在進行濺射工藝的同時檢測所述陽極與陰極之間的電壓值或電流值，當陽極與陰極之間的電壓值或電流值突變時，輸出警示信號兵停止濺射工藝。

進一步的，在所述磁控濺射設備輸出警示信號并停止濺射工藝之后，更換所述磁控濺射設備的靶材。

本發明實施例提供一種磁控濺射設備及磁控濺射方法，通過檢測陽極與陰極之間的電壓值或電流值來判斷是否需要更換靶材，當部分靶材耗盡，正電荷聚集在絕緣材料上并與陰極靶材上的負電荷中和發生放電現象，從而引起陽極與陰極之間的電壓值或電流值突變，設備或相關工作人員根據電壓值或電流值的突變進行更換靶材，避免了因靶材被提前更換造成的不必要的浪費，提高了靶材的實際利用率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種磁控濺射設備的結構示意圖；

圖2為圖1中磁控濺射設備的部分靶材耗盡時的示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

如圖1所示，本發明實施例提供一種磁控濺射設備，包括一密封腔室以及設置于所述密封腔室中且相對設置的陽極1和陰極2，與陽極1和陰極2連接的電源3。陰極2包括與電源3連接的導電背板21，設置于導電背板21靠近陽極1一側的靶材23，設置于導電背板21與靶材23之間的絕緣層22，靶材23電連接于導電背板21。