[發明專利]磁控濺射設備及磁控濺射方法

有效

• 申請號: 201410418300.1
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN104213089A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 張峰;杜曉健;辛旭;李巖
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種磁控濺射設備，包括：一密封腔室以及設置于所述密封腔室中且相對設置的陽極和陰極，與所述陽極和陰極連接的電源，其特征在于，

所述陰極包括：

與所述電源連接的導電背板；

設置于所述導電背板靠近所述陽極一側的靶材；

設置于所述導電背板與所述靶材之間的絕緣層，所述靶材電連接于所述導電背板。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，

還包括檢測裝置，所述檢測裝置用于檢測所述陽極與陰極之間的電壓值或電流值。

3.根據權利要求1或2所述的磁控濺射設備，其特征在于，

所述靶材通過周邊的導體材料連接于所述導電背板。

4.根據權利要求1或2所述的磁控濺射設備，其特征在于，

所述絕緣層對應于所述靶材的至少部分區域，所述靶材的至少部分區域包括磁控濺射設備中磁場不低于平均磁場的位置。

5.根據權利要求1或2所述的磁控濺射設備，其特征在于，

所述絕緣層為硅酸鹽膠。

6.根據權利要求1或2所述的磁控濺射設備，其特征在于，

所述陽極靠近所述陰極的一側設置有基臺，所述基臺用于固定待濺射的基板。

7.根據權利要求1或2所述的磁控濺射設備，其特征在于，

所述靶材為金屬或金屬氧化物。

8.一種磁控濺射方法，應用于如權利要求1至7中任意一項所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述磁控濺射方法包括：

將待濺射基板設置于所述磁控濺射設備中陽極靠近陰極的一側；

對所述磁控濺射設備中陽極和陰極所在的密封腔室抽真空；

在所述密封腔室中通入惰性氣體；

開啟所述磁控濺射設備中的電源，使所述陽極和陰極形成回路以進行濺射工藝；

在進行濺射工藝的同時檢測所述陽極與陰極之間的電壓值或電流值，當陽極與陰極之間的電壓值或電流值突變時，輸出警示信號并停止濺射工藝。

9.根據權利要求8所述的磁控濺射方法，其特征在于，在所述磁控濺射設備輸出警示信號并停止濺射工藝之后，更換所述磁控濺射設備的靶材。