[發明專利]顯示面板的陣列基板有效
| 申請號: | 201410418181.X | 申請日: | 2014-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN105448931B | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 李逸哲;林映彤 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 陣列 | ||
本發明公開一種顯示面板的陣列基板,包括一基材和位于基材上的第一晶體管與第二晶體管。第一和第二晶體管電連接且共用一半導體層,半導體層包括一第一側部、一轉折部和一底部。轉折部連接第一側部,底部連接轉折部。一實施例中,第一側部的第一外邊緣延伸線與底部的第二外邊緣延伸線及轉折部的第三外邊緣之間形成第一區域,第一側部的第一內邊緣延伸線與底部的第二內邊緣延伸線及轉折部的第三內邊緣形成第二區域,第一區域的面積小于第二區域的面積。另一實施例中,轉折部的第三外邊緣的第一曲率大于轉折部的第三內邊緣的第二曲率。
技術領域
本發明涉及一種顯示面板的陣列基板,且特別是涉及一種半導體層轉折部具有內外邊緣差異的陣列基板。
背景技術
具顯示面板的電子產品已是現代人不論在工作處理學習上、或是個人休閑娛樂上,不可或缺的必需品,包括智能型手機(SmartPhone)、平板電腦(Pad)、筆記型電腦(Notebook)、顯示器(Monitor)到電視(TV)等許多相關產品。其中又以液晶顯示面板最為普遍。由于液晶顯示面板在絕大多數應用上具有更簡潔、更輕盈、可攜帶、更低價、更高可靠度、以及讓眼睛更舒適的功能,已經廣泛地取代了陰極射線管顯示器(CRT),成為最廣泛使用的顯示器,同時提供多樣性包括尺寸、形狀、分辨率等多種選擇。
目前液晶顯示面板中,薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-LCD)又可區分為非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)和低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)兩種技術。其中LTPS TFT的載流子遷移率(mobility)比a-Si TFT高出一百倍(>100cm2/V·s),并且可以在玻璃基板上直接進行CMOS制作工藝。相較于非晶硅TFT-LCD,低溫多晶硅TFT-LCD的反應速度較快,并具有高亮度、高開口率、高分辨率和低耗電量等特點。再者,LTPS TFT可進行高密度布局,特點,適合應用于有機電激發光(OLED)面板,可以使高亮度與高畫質的OLED更容易實現,且可提高有機發光二極管壽命。
另外,顯示面板在制作時除了需注意制作工藝上的細節,例如進行金屬層和半導體層等各層圖案化時(如光刻和蝕刻)需精確以避免斷線,其制得面板也需符合產品要求如電阻、電容等各項規格,使制得的面板具有穩定良好的電子特性。顯示面板的設計不良,將造成面板良率下降和可靠度降低的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種顯示面板的一陣列基板,通過對陣列基板上的半導體層的彎折部分的特殊設計,可降低阻值,進而增進應用面板的電性表現,使其具有穩定良好的電子特性。
根據本發明,提出一種陣列基板,包括一基材和位于基材上的一第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管和第二晶體管電連接,且第一晶體管與第二晶體管共用一半導體層,半導體層至少包括一第一側部、一轉折部和一底部,轉折部連接第一側部,底部連接轉折部。其中,第一側部的一第一外邊緣延伸線與底部的一第二外邊緣延伸線及轉折部的一第三外邊緣之間形成一第一區域。第一側部的一第一內邊緣延伸線與底部的一第二內邊緣延伸線及轉折部的一第三內邊緣形成一第二區域,第一區域的面積小于第二區域的面積。
根據本發明,提出一種陣列基板,包括一基材和位于基材上的一第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管和第二晶體管電連接,且第一晶體管與第二晶體管共用一半導體層,半導體層至少包括一第一側部和一轉折部,轉折部連接第一側部。其中,轉折部的一第三外邊緣具有一第一曲率r1,轉折部的一第三內邊緣具有一第二曲率r2,第一曲率r1大于第二曲率r2。
為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特舉實施例,并配合所附的附圖,作詳細說明如下:
附圖說明
圖1為本發明一實施例的一顯示面板的簡示圖;
圖2為本發明一實施例顯示面板的一陣列基板的頂部俯視圖;
圖3為本發明第一實施例的一顯示面板的陣列基板底部的局部俯視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





