[發明專利]顯示面板的陣列基板有效
| 申請號: | 201410418181.X | 申請日: | 2014-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN105448931B | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 李逸哲;林映彤 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 陣列 | ||
1.一種陣列基板,包括:
基材;
第一晶體管,位于該基材上;以及
第二晶體管,位于該基材上,該第一晶體管與該第二晶體管電連接,且該第一晶體管與該第二晶體管共用一半導體層,該半導體層至少包括:
第一側部;
轉折部,連接該第一側部;和
底部,連接該轉折部;
其中,該第一側部的第一外邊緣延伸線與該底部的第二外邊緣延伸線及該轉折部的一第三外邊緣之間形成一第一區域,該第一側部的第一內邊緣延伸線與該底部的第二內邊緣延伸線及該轉折部的第三內邊緣形成一第二區域,該第三內邊緣朝向該第三外邊緣的方向彎曲,且該第一區域的面積小于該第二區域的面積。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其中該第一區域的面積與該第二區域的面積的比例介于0.2到0.7之間。
3.如權利要求1所述的陣列基板,其中該轉折部的該第三內邊緣實質上不平行于該第一側部的第一內邊緣及該底部的第二內邊緣,該轉折部的該第三外邊緣實質上不平行于該第一側部的第一外邊緣及該底部的第二外邊緣。
4.如權利要求1所述的陣列基板,其中該第一晶體管具有柵極,該第一側部于該柵極上具有第一寬度W1,該底部具有第二寬度W2。
5.如權利要求4所述的陣列基板,其中該第一寬度W1小于該第二寬度W2。
6.如權利要求4所述的陣列基板,其中該轉折部具有第三寬度W3,該第三寬度W3大于(第一寬度W12+第二寬度W22)0.5。
7.如權利要求4所述的陣列基板,其中該半導體層包括擴大部,該擴大部具有一第四寬度W4,該半導體層具有一連接部位于該第一側部及該擴大部之間,該連接部具有一第五寬度W5,該第五寬度W5大于該第一寬度W1,且該第五寬度W5小于該第四寬度W4。
8.如權利要求1所述的陣列基板,其中該半導體層還包括第二側部,該底部位于該第一側部及該第二側部之間。
9.如權利要求8所述的陣列基板,其中該半導體層還包括另一轉折部,其兩端分別連接該第二側部和該底部。
10.如權利要求8所述的陣列基板,其中該第二側部的第四內邊緣實質上平行于該第一側部的該第一內邊緣,該第二側部的一第四外邊緣實質上平行于該第一側部的該第一外邊緣。
11.如權利要求1所述的陣列基板,其中該半導體層實質上為U形。
12.如權利要求1所述的陣列基板,其中該底部的第二內邊緣實質上垂直于該第一側部的該第一內邊緣,該底部的第二外邊緣實質上垂直于該第一側部的該第一外邊緣。
13.如權利要求1所述的陣列基板,其中該轉折部的該第三外邊緣具有第一曲率r1,該轉折部的該第三內邊緣具有第二曲率r2,該第一曲率r1大于該第二曲率r2。
14.如權利要求13所述的陣列基板,其中該第一曲率與第二曲率的比例r1/r2介于1.1到2之間。
15.一種陣列基板,包括:
基材;
第一晶體管,位于該基材上;
第二晶體管,位于該基材上,該第一晶體管與該第二晶體管電連接,且該第一晶體管與該第二晶體管共用一半導體層,該半導體層至少包括:
第一側部;
轉折部,連接該第一側部;和
底部,連接該轉折部;以及
數據線,位于該基材上且串聯于該第一晶體管和該第二晶體管中的至少一者,
其中,該轉折部的第三外邊緣具有第一曲率r1,該轉折部的第三內邊緣具有第二曲率r2,該第一曲率r1大于該第二曲率r2。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于群創光電股份有限公司,未經群創光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410418181.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:晶體管及顯示設備
- 下一篇:非易失性半導體存儲裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





