[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410415560.3
• 申請(qǐng)日: 2014-08-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105448832B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于書(shū)坤;韋慶松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步驟S1，在半導(dǎo)體襯底中設(shè)置淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，利用所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離出NMOS區(qū)和PMOS區(qū)；

步驟S2，在所述NMOS區(qū)和所述PMOS區(qū)上形成柵極結(jié)構(gòu)、位于所述柵極結(jié)構(gòu)上的硬掩膜層、位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的偏移側(cè)墻；

步驟S3，在所述PMOS區(qū)欲形成源極區(qū)和漏極區(qū)的位置設(shè)置硅鍺部；

步驟S4，在所述偏移側(cè)墻的裸露表面上設(shè)置主側(cè)墻；

步驟S5，設(shè)置所述PMOS區(qū)和所述NMOS區(qū)的源極區(qū)、漏極區(qū)、金屬硅化物層；

步驟S6，濕法刻蝕部分所述硬掩膜層和部分所述主側(cè)墻；以及

步驟S7，干法刻蝕剩余的所述硬掩膜層和所述主側(cè)墻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S6的濕法刻蝕至所述硬掩膜層的厚度為刻蝕之前厚度的30～70％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S6的濕法刻蝕至所述硬掩膜層的厚度為刻蝕之前厚度的45～60％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮化硅層，所述氮化硅層的厚度為10～80nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕液包括H₃PO₄水溶液。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述主側(cè)墻包括依次遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的氧化硅層和氮化硅層，所述氮化硅層的厚度為3～50nm，所述氧化硅層的厚度為0～10nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕氣體選自CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、O₂、HCl、HBr、SO₂、He、H₂和CH₄中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S4包括：

在所述半導(dǎo)體襯底的裸露表面上、所述柵極結(jié)構(gòu)的裸露表面上以及所述硬掩膜層的裸露表面上依次設(shè)置氧化硅和氮化硅；

對(duì)所述氧化硅和所述氮化硅進(jìn)行刻蝕形成所述主側(cè)墻，所述主側(cè)墻的頂面與所述半導(dǎo)體襯底表面的距離小于所述偏移側(cè)墻與所述半導(dǎo)體襯底表面的距離。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S5包括：

對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行源漏離子注入，形成所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底的裸露表面上和所述硬掩膜層的裸露表面上沉積金屬；

對(duì)所述金屬進(jìn)行高溫退火，在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的表面形成所述金屬硅化物層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬硅化物為鎳硅化物、鈷硅化物、鎢硅化物、鈦硅化物和鉭硅化物中的一種或多種的組合。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的絕緣層和偽多晶硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步驟S7之后還包括：

在所述半導(dǎo)體襯底的裸露表面上、所述偏移側(cè)墻的裸露表面上以及所述柵極結(jié)構(gòu)的裸露表面上設(shè)置接觸刻蝕停止層；

在所述接觸刻蝕停止層)上設(shè)置介電材料；

對(duì)所述介電材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，得到層間介質(zhì)層；

去除所述偽多晶硅，并在所述偽多晶硅所在位置設(shè)置金屬，形成金屬柵極。