[發明專利]用于制造顯示面板的方法在審
| 申請號: | 201410415420.6 | 申請日: | 2014-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN104658883A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發明(設計)人: | 李洪魯;鄭炳和;洪圣勛 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/683;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 顯示 面板 方法 | ||
技術領域
所描述的技術大體上涉及用于制造顯示面板的方法。
背景技術
近來,由于可容易將平板顯示器(FPD)實現為大、薄且重量輕的,因此顯示設備市場已迅速轉向FPD市場。在各種類型的平板顯示器中,有機發光二極管(OLED)顯示器是不需要單獨光源的自發射型,因此在縮小厚度和減輕重量方面具有更多優勢。
由于一般的平板顯示器使用玻璃基板,因此該平板顯示器具有降低的靈活性、厚的厚度以及大的重量,因此在應用方面受到限制。近來,為了減小顯示設備的厚度,顯示單元被形成在超薄玻璃基板上。
超薄玻璃基板具有薄的厚度和大的面積,因此不易操縱。因此,支撐基板被附接在該超薄玻璃基板的下方,以便在該超薄玻璃基板上形成像素。
然而,在完成像素形成過程之后,超薄玻璃基板需要與支撐基板分離。為了這樣做,超薄玻璃基板被暴露至高溫工藝等,因此其不能容易地與支撐基板分離并且可被部分損壞。
發明內容
因此,本發明旨在提供一種用于制造顯示面板的方法,該方法能夠容易地從支撐基板分離超薄玻璃基板。
根據本發明的一個方面,提供一種用于制造顯示面板的方法,包括:通過在支撐基板的脫附區中形成釋放層和凹陷部中的一個,在所述支撐基板中限定所述脫附區;清洗所述支撐基板的表面;在所述支撐基板上布置薄膜基板;將所述薄膜基板結合至所述支撐基板;在所述薄膜基板上形成像素和密封構件;在對應于所述脫附區的位置處切割所述密封構件和所述薄膜基板;以及從所述薄膜基板分離所述支撐基板。所述清洗可以通過UV清洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧(O3)清洗中的一種來實現。所述像素可以包括有機發光元件。
所述脫附區可以由所述凹陷部限定,所述凹陷部通過等離子體蝕刻或噴砂來產生。所述凹陷部的深度可以為2nm至200μm。所述脫附區可以由所述釋放層限定,形成釋放層可以包括:在所述支撐基板上形成銦錫氧化物(ITO)層和銦鋅氧化物(IZO)層中的一個;通過圖案化所述ITO層和所述IZO層中的所述一個形成保留的釋放層;以及使所保留的釋放層結晶。所述釋放層可以被形成為具有至的厚度。
所述薄膜基板可以包括具有0.01mm至0.1mm厚度的超薄玻璃。在與所述脫附區外部的吸附區相對應的位置處所述支撐基板的表面粗糙度可以等于或小于0.2nm。在結合期間,所述薄膜基板可以在所述吸附區中在不需要中間粘結層的情況下直接并以共價鍵結合至所述支撐基板。
根據本發明的另一方面,提供一種用于制造顯示面板的另一方法,包括:清洗支撐基板的表面;通過在所述支撐基板的脫附區中形成釋放層和凹陷部中的一個,限定所述支撐基板的所述脫附區;在所述支撐基板上布置薄膜基板;將所述薄膜基板結合至所述支撐基板;在所述薄膜基板上形成像素和密封構件;在對應于所述脫附區的位置處切割所述密封構件和所述薄膜基板;以及從所述薄膜基板分離所述支撐基板。所述清洗可以包括選自UV清洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧(O3)清洗的工藝,并且所述薄膜基板可以在所述脫附區外部的吸附區中并且在不需要中間粘結層的情況下直接并以共價鍵結合至所述支撐基板。所述支撐基板還可以包括包圍所述脫附區的吸附區。
所述脫附區可以由所述凹陷部限定,所述凹陷部可以通過借助于從由等離子體蝕刻和噴砂組成的組中選擇的工藝對支撐基板進行蝕刻來產生。所述凹陷部的深度可以為2nm至200μm。
所述脫附區可以由所述釋放層限定,形成釋放層可以包括:在所述支撐基板上形成銦錫氧化物(ITO)層和銦鋅氧化物(IZO)層中的一個;通過圖案化所述ITO層和所述IZO層中的所述一個形成保留的釋放層;以及使所保留的釋放層結晶。所述釋放層可以被形成為具有至的厚度。
所述薄膜基板可以是具有0.01mm至0.1mm厚度的超薄玻璃。在與所述脫附區外部的吸附區相對應的位置處所述支撐基板的表面粗糙度可以等于或小于0.2nm。所述像素可以包括有機發光元件。
附圖說明
通過參照下面結合附圖所考慮的詳細說明,本發明變得更好理解,因此本發明的更完整理解以及本發明帶來的許多優點將容易明白,在附圖中相同的附圖標記表示相同或相似的組件,其中:
圖1是示出根據本發明第一示例性實施例的用于制造顯示面板的方法的流程圖;
圖2示出根據第一示例性實施例的方法、其中將釋放層增加至支撐基板的脫附區SA的處理步驟;
圖3示出根據第一示例性實施例的方法、其中將薄膜基板附接至支撐基板/釋放層組合的處理;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





