[發明專利]用于制造顯示面板的方法

在審

• 申請號: 201410415420.6
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN104658883A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 李洪魯;鄭炳和;洪圣勛
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

1.一種用于制造顯示面板的方法，包括：

通過在支撐基板的脫附區中形成釋放層和凹陷部中的一個，在所述支撐基板中限定所述脫附區；

清洗所述支撐基板的表面；

在所述支撐基板上布置薄膜基板；

將所述薄膜基板結合至所述支撐基板；

在所述薄膜基板上形成像素和密封構件；

在對應于所述脫附區的位置處切割所述密封構件和所述薄膜基板；以及

從所述薄膜基板分離所述支撐基板。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述清洗通過從由以下組成的組中選擇的工藝來實現：UV清洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧清洗。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述脫附區由所述凹陷部限定，所述凹陷部通過借助于從等離子體蝕刻和噴砂中選擇的工藝對所述支撐基板進行蝕刻來產生。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述凹陷部的深度為2nm至200μm。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述脫附區由所述釋放層限定，形成釋放層包括：

在所述支撐基板上形成銦錫氧化物層和銦鋅氧化物層中的一個；

通過圖案化所述銦錫氧化物層和所述銦鋅氧化物層中的所述一個形成保留的釋放層；以及

使所保留的釋放層結晶。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述釋放層被形成為具有至的厚度。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述薄膜基板包括具有0.01mm至0.1mm厚度的超薄玻璃。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在與所述脫附區外部的吸附區相對應的位置處所述支撐基板的表面粗糙度等于或小于0.2nm。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述支撐基板包括包圍所述脫附區的吸附區，其中在結合期間，所述薄膜基板在所述吸附區中在不需要中間粘結層的情況下直接并以共價鍵結合至所述支撐基板。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述像素包括有機發光元件。

11.一種用于制造顯示面板的方法，包括：

清洗支撐基板的表面；

通過在所述支撐基板的脫附區中形成釋放層和凹陷部中的一個，限定所述支撐基板的所述脫附區；

在所述支撐基板上布置薄膜基板；

將所述薄膜基板結合至所述支撐基板；

在所述薄膜基板上形成像素和密封構件；

在對應于所述脫附區的位置處切割所述密封構件和所述薄膜基板；以及

從所述薄膜基板分離所述支撐基板。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述清洗包括從由以下組成的組中選擇的工藝：UV清洗、超聲波清洗、水射流清洗、氫水清洗和臭氧清洗，其中所述薄膜基板在所述脫附區外部的吸附區中并且在不需要中間粘結層的情況下直接并以共價鍵結合至所述支撐基板。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述脫附區由所述凹陷部限定，所述凹陷部通過借助于從由等離子體蝕刻和噴砂組成的組中選擇的工藝對支撐基板進行蝕刻來產生。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述凹陷部的深度為2nm至200μm。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述脫附區由所述釋放層限定，形成釋放層包括：

在所述支撐基板上形成銦錫氧化物層和銦鋅氧化物層中的一個；

通過圖案化所述銦錫氧化物層和所述銦鋅氧化物層中的所述一個形成保留的釋放層；以及

使所保留的釋放層結晶。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述釋放層被形成為具有至的厚度。

17.根據權利要求11所述的方法，其中所述薄膜基板是具有0.01mm至0.1mm厚度的超薄玻璃。

18.根據權利要求11所述的方法，其中在與所述脫附區外部的吸附區相對應的位置處所述支撐基板的表面粗糙度等于或小于0.2nm。

19.根據權利要求11所述的方法，其中所述支撐基板進一步包括包圍所述脫附區的吸附區。

20.根據權利要求11所述的方法，其中所述像素包括有機發光元件。