[發明專利]基體鰭式場效晶體管不依賴柵極長度的氣孔上覆硅架構

有效

• 申請號: 201410415235.7
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN104425284B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: M·K·阿卡瓦爾達;A·P·雅各布
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/02;H01L21/762
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種用于制造鰭式場效晶體管的方法，該方法包括：

形成鰭式結構覆蓋在半導體基板上，其中，每個鰭式結構包括通道材料，并且從第一末端到第二末端朝縱向延伸；

沉積錨固材料在該鰭式結構上方；

凹陷該錨固材料以形成鄰接該鰭式結構的有較低溝槽表面的邊界的溝槽，其中，該錨固材料維持與每個鰭式結構的該第一末端和該第二末端接觸；以及

以不依賴柵極長度的蝕刻程序在該半導體基板及每個鰭式結構的該通道材料間形成空隙，其中，每個鰭式結構的該通道材料懸掛在該半導體基板上方，以及其中，每個空隙是以較低空隙表面為邊界，該較低空隙表面位于該錨固材料的該較低溝槽表面上方。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，每個空隙是以較高空隙表面為邊界以及其中該方法進一步包括：

沉積介電材料在該半導體基板上方，其中，該介電材料沉積于該空隙中以在每個鰭式結構中產生位于該通道材料下方的隔離區塊，以及沉積于相鄰的鰭式結構之間；以及

凹陷在相鄰的鰭式結構之間的該介電材料至一降低表面，其中，該介電材料的該降低表面是位于每個空隙的該較高空隙表面上方。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，每個空隙是以較高空隙表面為邊界以及其中該方法進一步包括：

沉積介電材料在該半導體基板上方，其中，該介電材料沉積于該空隙中以在每個鰭式結構中產生位于該通道材料下方的隔離區塊，以及沉積于相鄰的鰭式結構之間；以及

凹陷在相鄰的鰭式結構之間的該介電材料至一降低表面，其中，該介電材料的該降低表面是位于每個空隙的該較高空隙表面下方。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

沉積介電材料于相鄰的鰭式結構之間及該空隙中，以在每個鰭式結構中產生位于該通道材料下方的隔離區塊；以及

凹陷在相鄰的鰭式結構之間的該介電材料以曝露每個隔離區塊的側表面。

5.一種用于制造集成電路的方法，該方法包括：

形成多個鰭式結構覆蓋在半導體基板上，其中，每個鰭式結構包括通道材料；

沉積第一介電材料在該鰭式結構之間；

從該半導體基板移除非選定鰭式結構，以在相鄰于第一選定鰭式結構的該第一介電材料與相鄰于第二選定鰭式結構的該第一介電材料之間形成間隙；

沉積淺溝槽隔離材料于該間隙中；

凹陷該第一介電材料以在相鄰的鰭式結構之間、該第一選定鰭式結構與該淺溝槽隔離材料之間、及該第二選定鰭式結構與該淺溝槽隔離材料之間形成溝槽；

于每個鰭式結構的該通道材料與該半導體基板間形成空隙，以隔離該通道材料；以及

在形成該空隙后，形成柵極結構覆蓋在該鰭式結構上。

6.根據權利要求5所述的方法，進一步包括于形成該柵極結構前，以第二介電材料填充每個空隙，以產生位于該通道材料下方的隔離區塊。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，每個空隙是以較高空隙表面為邊界，以及其中，該方法進一步包括：

沉積第二介電材料在該半導體基板上方，其中，該第二介電材料沉積于該空隙中以在每個鰭式結構中產生位于該通道材料下方的隔離區塊，以及沉積于該溝槽中；以及

凹陷該溝槽中的該第二介電材料至一降低表面，其中，該第二介電材料的該降低表面是位于每個空隙的該較高空隙表面下方。

8.根據權利要求5所述的方法，進一步包括：

沉積第二介電材料在該半導體基板上方，其中，該第二介電材料沉積于每個空隙中以在每個鰭式結構中產生位于該通道材料下方的隔離區塊，以及沉積于相鄰的鰭式結構之間；以及

凹陷在相鄰的鰭式結構之間的該第二介電材料以曝露每個隔離區塊的側表面。

9.根據權利要求5所述的方法，其中：

凹陷該第一介電材料包括凹陷該第一介電材料以形成有較低溝槽表面的邊界的該溝槽；以及

于每個鰭式結構的該通道材料與該半導體基板之間形成空隙包括將每個空隙以較低空隙表面予以邊界，該較低空隙表面是位于該第一介電材料的該較低溝槽表面上方。