[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請號: 201410413061.0
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN105321846B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 申平洙
• 申請（專利權）人: PSK有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 楊生平,鐘錦舜

1.一種基板處理方法，包括以下步驟：

提供在一多晶硅之上部交替層迭有層間絕緣層與犧牲層、在該等層間絕緣層與該等犧牲層中形成有一孔的一基板的步驟；

向該基板供應激發為電漿狀態的一第一制程氣體以在該孔之側面及底部以及該基板之頂部形成一保護層的步驟；

向該基板供應激發為電漿狀態的一第二制程氣體以移除在該孔之側面形成的該保護層的步驟；

向該基板供應激發為電漿狀態的一第三制程氣體以移除暴露于該孔之側面的該犧牲層的步驟；以及

向該基板供應激發為電漿狀態的一第四制程氣體以自該基板之頂部及該孔之底部移除該保護層的步驟。

2.如權利要求1所述的基板處理方法，其中，該等層間絕緣層為氧化物，該等犧牲層為氮化物。

3.如權利要求2所述的基板處理方法，其中，該第一制程氣體以氧氣提供，該保護層為二氧化硅層。

4.如權利要求2所述的基板處理方法，其中，該第二制程氣體以氫氣提供，該保護層與該第二制程氣體反應而分解為硅烷。

5.如權利要求2所述的基板處理方法，其中，該第三制程氣體包含三氟化氮氣體及氧氣。

6.如權利要求5所述的基板處理方法，其中，該第三制程氣體亦包含氮氣。

7.如權利要求2所述的基板處理方法，其中，該第四制程氣體為氫氣。

8.如權利要求2所述的基板處理方法，其中，該第四制程氣體為氮氣、氫氣及三氟化氮氣體混合之狀態。

9.如權利要求8所述的基板處理方法，其中，進一步包括:

供應該第四制程氣體并使得其與該保護層反應后，將該基板加熱至一設置溫度的步驟。

10.如權利要求1所述的基板處理方法，其中，該基板提供用于層迭記憶

裝置之制造。

11.一種基板處理裝置，包括：

一腔室；

一基座，其位于該腔室內部且提供在一多晶硅之上部交替層迭有層間絕緣層與犧牲層、在該等層間絕緣層與該等犧牲層中形成有一孔的基板；

一制程氣體供應部，其向該腔室之上部依次供應一第一制程氣體以在該孔之側面及底部以及該基板之頂部形成一保護層、一第二制程氣體以移除在該孔之側面形成的該保護層、一第三制程氣體以移除暴露于該孔之側面的該犧牲層及一第四制程氣體以自該基板之頂部及該孔之底部移除該保護層；以及

一電漿激發部，其將該第一制程氣體至第四制程氣體激發成電漿狀態。

12.如權利要求11所述的基板處理裝置，其中，該第一制程氣體以氧氣提供。

13.如權利要求11所述的基板處理裝置，其中，該第二制程氣體以氫氣提供。

14.如權利要求11所述的基板處理裝置，其中，該第三制程氣體包含三氟

化氮氣體及氧氣。

15.如權利要求14所述的基板處理裝置，其中，該第三制程氣體亦包括氮氣。

16.如權利要求11所述的基板處理裝置，其中，該第四制程氣體為氫氣。

17.如權利要求11所述的基板處理裝置，其中，該第四制程氣體為氮氣、氫氣及三氟化氮氣體混合之狀態。