[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請號: 201410413061.0
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN105321846B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 申平洙
• 申請（專利權）人: PSK有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 楊生平,鐘錦舜

技術領域

本發明系關于基板處理裝置及基板處理方法。

背景技術

電子制品之體積逐漸變小，因而要求高容量的數據處理。因此，需要提高此種電子制品中所使用的半導體記憶裝置之整合度。作為用于提高半導體記憶裝置之整合度的方法之一，提出具有豎直晶體管結構之記憶裝置來替代原有平面晶體管結構。

此種層迭內存涉及：使層間絕緣層及犧牲層于多晶硅上交替層迭之制程、在層間絕緣層與犧牲層中形成孔之制程、經由孔來移除犧牲層之制程。其中，移除犧牲層之制程系以濕式蝕刻方法執行，因而效率低，成本高。

發明內容

[欲解決之課題]

本發明旨在提供一種利用電漿處理基板之基板處理裝置及基板處理方法。

另外，本發明旨在提供一種能夠以干式制程自提供用于層迭記憶裝置制造之基板中移除犧牲層的基板處理裝置及基板處理方法。

[解決課題之技術方案]

根據本發明之一個態樣，能夠提供一種基板處理方法，包括：提供在多晶硅之上部交替層迭有層間絕緣層與犧牲層、在該等層間絕緣層與該等犧牲層中形成有孔的基板的步驟；向該基板供應激發為電漿狀態的第一制程氣體以在該孔之側面及底部以及該基板之頂部形成保護層的步驟；向該基板供應激發為電漿狀態的第二制程氣體以移除在該孔之側面形成的該保護層的步驟；向該基板供應激發為電漿狀態的第三制程氣體以移除暴露于該孔之側面的該犧牲層的步驟；以及，向該基板供應激發為電漿狀態的第四制程氣體以自該基板之頂部及該孔之底部移除該保護層的步驟。

另外，該等層間絕緣層可為氧化物，該等犧牲層可為氮化物。

另外，該第一制程氣體可以氧氣提供，該保護層可為二氧化硅層。

另外，該第二制程氣體可以氫氣提供，該保護層可與該第二制程氣體反應而分解為硅烷。

另外，該第三制程氣體可包括三氟化氮氣體及氧氣。

另外，該第三制程氣體亦可包括氮氣。

另外，該第四制程氣體可為氫氣。

另外，該第四制程氣體可為氮氣、氫氣及三氟化氮氣體混合之狀態。

另外，亦可包括供應該第四制程氣體并使得其與該保護層反應后，將該基板加熱至設置溫度的步驟。

另外，該基板可提供用于層迭記憶裝置之制造。

根據本發明之另一態樣，可提供一種基板處理裝置，包括：腔室；基座，其位于該腔室內部；制程氣體供應部，其向該腔室之上部依次供應第一制程氣體、第二制程氣體、第三制程氣體及第四制程氣體；以及電漿激發部，其將該第一制程氣體至第四制程氣體激發成電漿狀態。

另外，該第一制程氣體可以氧氣提供。

另外，該第二制程氣體可以氫氣提供。

另外，該第三制程氣體可包含三氟化氮氣體及氧氣。

另外，該第三制程氣體亦可包含氮氣。

另外，該第四制程氣體可為氫氣。

另外，該第四制程氣體可為氮氣、氫氣及三氟化氮氣體混合之狀態。

[發明效果]

根據本發明之一個實施例，可提供一種利用電漿高效地處理基板的基板處理裝置及基板處理方法。

另外，根據本發明之一個實施例，提供一種能夠以干式制程自提供用于層迭記憶裝置制造之基板移除犧牲層的基板處理裝置及基板處理方法。

附圖說明

圖1為展示本發明之實施例的基板處理裝置之平面圖。

圖2為展示能夠提供至圖1之制程模塊的電漿模塊之圖。

圖3為展示將在制程模塊中處理的基板之圖。

圖4至圖7為展示藉助于本發明之一個實施例的基板處理裝置自基板移除犧牲層的過程圖。

圖8為展示根據另一實施例來移除保護層的過程圖。

具體實施方式

以下參照附圖，更詳細地描述本發明之實施例。本發明之實施例可以變更為多種形態，本發明之范圍不得解釋為限定于以下實施例。該等實施例系提供用于向熟習此項技術者更完全地闡釋本發明。因此，附圖中之要素的形狀出于突出更明確描繪的目的而進行夸示。

圖1為展示本發明之實施例的基板處理裝置之平面圖。

如圖1所示，基板處理裝置(1)具有設備前端模塊(equipment front end module,EFEM)(20)及制程處理部(30)。設備前端模塊(20)與制程處理部(30)向一個方向配置。以下將設備前端模塊(20)與制程處理部(30)布置之方向稱為第一方向(X)，將自上部觀察時垂直于第一方向(X)之方向稱為第二方向(Y)。