[發(fā)明專利]主基板及其制造方法和光刻機

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410412524.1
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN105372939B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳飛;楊鐵剛;高原;胡月
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03B27/58
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種主基板，所述主基板設(shè)置于光刻機中，其特征在于，包括：主基板本體及與所述主基板本體可拆卸連接的若干主動減振器接口支撐模塊；所述主基板本體是三層結(jié)構(gòu)，包括：第一表面、第二表面以及設(shè)置在所述第一表面和第二表面之間并搭接所述第一表面與第二表面的平板結(jié)構(gòu)；所述第一表面和第二表面相對設(shè)置；所述第一表面和第二表面通過外圍板進行過渡連接；所述第一表面為第一肋板結(jié)構(gòu)，第二表面為第二肋板結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的主基板，其特征在于，還包括測量裝置安裝接口和物鏡裝置安裝接口；所述若干主動減振器接口支撐模塊、測量裝置安裝接口和物鏡裝置安裝接口均設(shè)置于所述主基板本體上，所述主動減振器接口支撐模塊用于安裝一支撐單元，所述測量裝置安裝接口用于安裝一測量裝置，所述物鏡裝置安裝接口用于安裝一物鏡裝置。

3.如權(quán)利要求1所述的主基板，其特征在于，所述主動減振器接口支撐模塊通過螺栓與所述主基板本體可拆卸連接。

4.如權(quán)利要求3所述的主基板，其特征在于，采用軸向預(yù)載荷裝配方式將所述主動減振器接口支撐模塊裝配于所述主基板本體上；其中，每個所述螺栓上施加的預(yù)緊力為5000N～50000N，裝配時接觸面過盈量為0.02mm～0.20mm。

5.如權(quán)利要求4所述的主基板，其特征在于，所述主基板本體上開設(shè)有至少一個工位。

6.如權(quán)利要求5所述的主基板，其特征在于，所述主基板本體上開設(shè)的所述工位包括至少一個曝光位和至少一個測量位。

7.如權(quán)利要求1所述的主基板，其特征在于，所述第一肋板結(jié)構(gòu)上至少開設(shè)有一個工位，所述第二肋板結(jié)構(gòu)上行對應(yīng)所述第一肋板結(jié)構(gòu)開設(shè)有相應(yīng)的工位。

8.如權(quán)利要求1所述的主基板，其特征在于，所述第二肋板結(jié)構(gòu)包括：依次連接的V形肋板、X形肋板、L形肋板以及T形肋板。

9.如權(quán)利要求2所述的主基板，其特征在于，所述支撐單元為主動減振器。

10.一種如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的主基板的制造方法，其特征在于，分別制造所述主基板本體及主動減振器接口支撐模塊。

11.如權(quán)利要求10所述的主基板的制造方法，其特征在于，所述主基板本體及所述主動減振器接口支撐模塊整體采用3D打印工藝加工制造。

12.如權(quán)利要求11所述的主基板的制造方法，其特征在于，所述3D打印工藝包括如下步驟：

對所述主基板本體及所述主動減振器接口支撐模塊整體進行宏觀結(jié)構(gòu)設(shè)計和微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計；

采用3D打印機，對所述主基板本體及所述主動減振器接口支撐模塊整體按照所述宏觀結(jié)構(gòu)設(shè)計和微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計進行激光成型一體化制造；

對經(jīng)過激光成型一體化制造的所述主基板本體及所述主動減振器接口支撐模塊整體進行表面精細(xì)加工、銑削平面、鉆孔、及拋光。

13.如權(quán)利要求12所述的主基板的制造方法，其特征在于，所述宏觀結(jié)構(gòu)設(shè)計包括如下步驟：

對所述主基板進行拓?fù)鋬?yōu)化分析；

對經(jīng)過所述拓?fù)鋬?yōu)化分析的所述主基板進行靈敏度分析；

對經(jīng)過所述靈敏度分析的所述主基板進行模態(tài)分析。

14.如權(quán)利要求13所述的主基板的制造方法，其特征在于，所述微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計的形狀為正方體、正六面體、正八面體、蜂窩形狀、米字形狀或由三角形拼接的蜂窩形狀。

15.一種光刻機，包括框架系統(tǒng)，所述框架系統(tǒng)包括真空框架及設(shè)置于所述真空框架內(nèi)部的工件臺真空腔和主真空腔，其特征在于，所述工件臺空腔內(nèi)靠近所述主真空腔的位置設(shè)置有如權(quán)利要求1-9中任一項所述的主基板；所述主基板的邊緣與所述工件臺真空腔的腔體內(nèi)壁相切。