[發(fā)明專利]半導體結構的雙重圖案工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410411455.2
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104425218B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設計）人: 維奈·奈爾;拉爾斯·黑尼克
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權代理有限公司44223
• 代理人: 江耀純

1.一種半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，包括：

由下而上在一基底上依序沉積一第一層、一第二層、以及一第三層，其中所述第二層與所述第三層具有不同的刻蝕速率；

在所述第三層上沉積一第一光刻膠層；

將所述第一光刻膠層圖形化成一圖形化第一光刻膠；

沉積一第一氧化層；

將所沉積的所述第一氧化層刻蝕成位于所述圖形化第一光刻膠兩側的第一間隙壁；

將所述圖形化第一光刻膠完全移除，得到由所述第一間隙壁所構成的第一掩膜圖案；

以所述第一掩膜圖案作為刻蝕掩膜對所述第三層進行刻蝕工藝，其中所述第二層作為刻蝕停止層；

在所述第三層上沉積一第二光刻膠層；

將所述第二光刻膠層圖形化成一圖形化第二光刻膠，其中所述圖形化第二光刻膠與所述圖形化第一光刻膠交錯；

沉積一第二氧化層；

將所沉積的所述第二氧化層刻蝕成位于所述圖形化第二光刻膠兩側的第二間隙壁；

將所述圖形化第二光刻膠完全移除，得到由所述第二間隙壁所構成的第二掩膜圖案；

以所述第二掩膜圖案作為刻蝕掩膜對所述第三層進行刻蝕工藝，因而在所述第二層與所述第一層中形成一接觸洞圖案；以及

移除剩余的所述第二間隙壁以及所述第三層，以獲得具有所述接觸洞圖案的一接觸印刷掩膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，所述第一層的材料包含碳。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，所述第二層為一抗反射介電涂布層。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，所述第二層的厚度介于至之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，所述第三層的材料包含抗反射材料。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，所述第三層的厚度為。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，所述第一氧化層通過原子層沉積工藝形成。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構的雙重圖案工藝方法，其特征在于，所述第二氧化層通過原子層沉積工藝形成。