[發(fā)明專利]一種低溫漂系數(shù)的帶隙基準電壓產生電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410411157.3
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN104122928A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設計）人: 呂堅;闕隆成;牛潤梅;呂靜;周云
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

1.一種低溫漂系數(shù)的帶隙基準電壓產生電路，其特征在于，包括：

運算放大器（A1）；

第一晶體管（Q1），所述第一晶體管（Q1）連接到所述運算放大器（A1）的同相輸入端；

第二晶體管（Q2），所述第二晶體管（Q2）連接到所述運算放大器（A1）的反相輸入端；

溫度補償電路，所述溫度補償電路的一端連接到所述運算放大器（A1）的所述反相輸入端，另一端連接到所述運算放大器（A1）的輸出端并且通過第一電阻（R）連接到所述運算放大器（A1）的所述同相輸入端；

其中所述溫度補償電路在至少兩個溫度處對所述帶隙基準電壓產生電路進行補償，使得所述帶隙基準電壓產生電路在所述至少兩個溫度處輸出零溫漂的帶隙基準電壓。

2.如權利要求1所述的電路，其特征在于：所述溫度補償電路包括至少第一溫度補償電阻和第二溫度補償電阻，所述第一溫度補償電阻具有第一溫度系數(shù)，所述第二溫度補償電阻具有第二溫度系數(shù)，所述第一溫度補償電阻和所述第二溫度補償電阻串聯(lián)，并且所述第一溫度系數(shù)和所述第二溫度系數(shù)不相同。

3.如權利要求2所述的電路，其特征在于：所述第一晶體管（Q1）的發(fā)射極接地，所述第一晶體管（Q1）的集電極連接到所述第一晶體管（Q1）的基極并且連接到所述運算放大器（A1）的所述同相輸入端。

4.如權利要求3所述的電路，其特征在于：所述第二晶體管（Q2）的發(fā)射極接地，所述第二晶體管（Q2）的集電極連接到所述第二晶體管（Q2）的基極并且通過第二電阻（R0）連接到所述運算放大器（A1）的所述反相輸入端。

5.如權利要求4所述的電路，其特征在于，所述溫度補償電路滿足：

，

其中R₀₀為第零電阻的阻值，R₀₁為第一溫度補償電阻的阻值，R₀₂為第二溫度補償電阻的阻值，R_0N為第N溫度補償電阻的阻值，α₁為第一溫度補償電阻的溫度系數(shù)，α₂為第二溫度補償電阻的溫度系數(shù)，α_N為第N溫度補償電阻的溫度系數(shù)，T為絕對溫度，V_T為熱電壓，n為所述第二晶體管（Q2）與所述第一晶體管（Q1）的面積之比，為禁帶寬度，m為測量遷移率時的電場的函數(shù)，k為玻爾茲曼常數(shù)，q為單位電荷所帶電荷量，V_BE2為所述第二晶體管（Q2）的發(fā)射結電壓，V_out為所述帶隙基準電壓產生電路的輸出電壓，N為大于或者等于2的自然數(shù)。