[發(fā)明專利]封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410410590.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104426500B | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秋田和重 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03H9/02 | 分類號(hào): | H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 | ||
1.一種封裝,其包括:
封裝主體,其由絕緣材料制成,所述封裝主體具有正面和背面,所述封裝主體在平面圖中具有矩形形狀;
金屬層,其沿著所述封裝主體的正面的周邊部形成,所述金屬層在平面圖中具有框架形狀;
金屬框架,其利用釬焊材料接合到所述金屬層,所述金屬框架在平面圖中具有框架形狀;
一對(duì)電極焊盤,其被構(gòu)造成安裝晶體振蕩器,所述一對(duì)電極焊盤形成于被所述金屬層包圍的所述封裝主體的正面;以及
空腔的開口部,所述空腔在被所述金屬層包圍的所述封裝主體的正面的除了所述一對(duì)電極焊盤以外的位置開口;
其中,所述金屬層、所述一對(duì)電極焊盤和所述空腔的所述開口部位于同一平面,
形成所述空腔的底部的絕緣層的厚度小于所述空腔的深度,
所述金屬框架具有矩形框架形狀,并且在所述金屬框架的四個(gè)角部具有彎曲部,并且
各所述電極焊盤的外部形狀在平面圖中在最靠近所述金屬框架的所述彎曲部的部分形成有向外側(cè)突出的曲線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于,所述封裝還包括槽,所述槽在所述封裝主體的正面的在所述金屬層與所述一對(duì)電極焊盤之間的位置沿著所述金屬層與所述一對(duì)電極焊盤之間形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于:
所述封裝主體包括兩個(gè)上下堆疊的絕緣層,
所述空腔由貫通最上層的絕緣層的貫通孔以及封閉所述貫通孔的底面的最下層的絕緣層的正面形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝,其特征在于,貫通所述最上層的絕緣層的所述貫通孔的深度比待安裝在所述空腔內(nèi)的電子元件的厚度與在所述最下層的絕緣層的正面形成的多個(gè)安裝電極中的每一個(gè)的厚度之和大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于:
所述金屬框架的所述彎曲部的內(nèi)部形狀在平面圖中形成有向外側(cè)凹陷的曲線,并且
所述電極焊盤的形成有曲線的部分的曲率半徑小于形成有曲線的所述彎曲部的曲率半徑。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社,未經(jīng)日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410410590.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類





