[發明專利]薄型封裝基板及其制作工藝

有效

• 申請號: 201410409998.0
• 申請日: 2014-08-19
• 公開（公告）號: CN104183567B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 劉文龍
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良,劉海

技術領域

本發明涉及一種薄型封裝基板及其制作工藝，屬于封裝基板技術領域。

背景技術

隨著對封裝尺寸要求的越來越高，作為封裝一個重要組成部分的芯片基板，其厚度的要求也越來越高。超薄封裝基板就是減小基板厚度的一種方法。薄型封裝基板采用很薄（小于100μm，通常20～40μm）的芯層來制備基板。一個主要問題就是很薄的芯不方便加工，非常容易損壞和變形，與常規基板加工工藝在很多方面不能兼容，例如：在水平線處理及電鍍化銅中，這么薄的芯層非常容易損壞，嚴重影響產品質量和良率。目前國內封裝基板都是采用半固化片（PP）作為芯層，首先在芯（core）層上制作通孔，然后進行內層圖形的制作，隨后采用增層法工藝來制備。

上述方法的不足之處就是，由于內層芯板PP很薄（一般為20～40μm）時，使用常規的基板工藝制作超薄封裝基板的內層圖形時很困難，在進行水平線工藝時，基板容易損壞，而且基板翹曲變形嚴重。由于PP的強度很低，在壓合等工藝中其漲縮大且不受控制；品良率低。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種薄型封裝基板及其制作工藝，解決超薄基板制備過程中容易損壞及工藝不兼容的問題。

按照本發明提供的技術方案，所述薄型封裝基板，其特征是：包括第一外層線路圖形和第二外層線路圖形，第一外層線路圖形和第二外層線路圖形之間布置一層或多層內層線路圖形，相鄰的內層線路圖形之間、內層線路圖形與第一外層線路圖形之間、以及內層線路圖形與第二外層線路圖形之間壓合介質層，相鄰的內層線路圖形之間、內層線路圖形與第一外層線路圖形之間、以及內層線路圖形與第二外層線路圖形之間通過導通盲孔連接。

所述薄型封裝基板的制作工藝，其特征是，包括以下步驟：

（1）將銅箔層與支撐板進行壓合，從而在支撐板的正反兩面上分別固定銅箔層；所述銅箔層包括支撐銅箔和位于支撐銅箔上的超薄銅箔，支撐銅箔與支撐板接觸；

（2）在超薄銅箔表面通過貼干膜、曝光、顯影、圖形電鍍、剝膜，得到第一外層線路圖形；

（3）壓合介質層：在第一外層線路圖形表面壓合半固化片，得到厚度為40～80μm的介質層；

（4）壓合完介質層后，在介質層上制作導通盲孔；導通盲孔制備完成后，進行導通盲孔金屬化并生成金屬層；

（5）內層線路圖形的制備：對金屬層進行蝕刻，得到內層線路圖形；

（6）重復步驟（3）～步驟（5），從而得到所需層數的介質層、內層線路圖形和最外層的第二外層線路圖形；

（7）將超薄銅箔從支撐銅箔上剝離下來；

（8）通過刻蝕將超薄銅箔除去；

（9）綠油層的制備：在第一外層線路圖形和第二外層線路圖形的外表面制作綠油層。

所述步驟（1）中銅箔層與支撐板的壓合時：壓力為30～50?psi，先在110℃保壓30min后，再升溫至220℃保溫2h，最后冷卻至室溫。

所述步驟（3）中壓合介質層時：壓合壓力為30～50?psi，先在110℃保壓30min后，再升溫至220℃保溫2h，最后冷卻至室溫。

所述支撐銅箔的厚度為12μm或18μm，超薄銅箔的厚度為1～3μm。

所述支撐板采用耐燃材料FR-4或BT樹脂基板。

本發明解決了超薄基板制備過程中容易損壞及工藝不兼容的問題，尤其是超薄基板內層的制作；利用超薄銅箔的特殊結構以及采用支撐板的方法來提高超薄基板的強度，使其能夠適應常規基板的工藝，提高生產效率和良率；同時，采用單面增層的工藝來實現基板的制備，這樣可以將封裝基板第一外層線路圖形的細線路埋入到介質層中，提高了細線路的結合強度，大大提高了產品的良率。

附圖說明

圖1～圖5為所述薄型封裝基板的制備流程圖。其中：

圖1為支撐板壓合銅箔層的示意圖。

圖2為制作第一外層線路圖形的示意圖。

圖3為在第一外層線路圖形上壓合介質層的示意圖。

圖4為在介質層上制作導通盲孔并孔金屬化及得到金屬層的示意圖。

圖5為制作內層線路圖形的示意圖。

圖6為所述薄型封裝基板的示意圖。

圖7為將超薄銅箔與支撐銅箔剝離后的示意圖。

圖8為除去第一外層線路圖形上超薄銅箔的示意圖。

圖9為所述薄型封裝基板的示意圖。

圖10為銅箔層的剖視圖。