[發(fā)明專利]芯片的進(jìn)給裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410409578.2
• 申請日: 2014-08-19
• 公開（公告）號: CN104417772B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐野正治
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: B65B5/00
• 分類號: B65B5/00;B65B35/30
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 李逸雪

1.一種芯片的進(jìn)給裝置，具備：

進(jìn)給托盤，其配設(shè)有收容芯片的收容部；

吸引單元，其從所述收容部進(jìn)行吸引，并促進(jìn)所述芯片向所述收容部的進(jìn)給；

加振單元，其向所述進(jìn)給托盤施加振動；和

控制單元，其向所述進(jìn)給托盤上提供所述芯片，并在通過所述加振單元向所述進(jìn)給托盤施加了振動的狀態(tài)下，對通過所述吸引單元來吸引所述收容部的狀態(tài)與停止吸引的狀態(tài)進(jìn)行周期性的切換，

所述芯片的進(jìn)給裝置的特征在于，構(gòu)成為：

通過從所述加振單元向所述進(jìn)給托盤施加的振動和所述吸引單元從所述收容部進(jìn)行的吸引，將被提供至所述進(jìn)給托盤上的所述芯片進(jìn)給到所述收容部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的進(jìn)給裝置，其特征在于，

所述控制單元構(gòu)成為按照以下方式進(jìn)行控制：在通過所述加振單元向所述進(jìn)給托盤施加的所述振動的1個周期內(nèi)，至少進(jìn)行1次所述吸引單元進(jìn)行的所述收容部的吸引的開始與吸引的停止。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的芯片的進(jìn)給裝置，其特征在于，

所述控制單元構(gòu)成為按照以下方式進(jìn)行控制：在振幅最大時基于所述吸引的所述收容部內(nèi)的負(fù)壓為最大區(qū)域，在所述振幅最小時所述負(fù)壓為最小區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任意一項(xiàng)所述的芯片的進(jìn)給裝置，其特征在于，

具備對所述振幅進(jìn)行檢測的傳感器，

通過所述傳感器來測量所述振幅的大小，并在所述振幅最大時所述負(fù)壓為最大區(qū)域的定時，使所述吸引單元進(jìn)行動作。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4的任意一項(xiàng)所述的芯片的進(jìn)給裝置，其特征在于，

所述芯片構(gòu)成為具有長方體形狀，在將厚度設(shè)為T、將寬度設(shè)為W、將長度設(shè)為L時，使通過厚度T與寬度W來規(guī)定的面即WT面朝上，并收容在所述收容部，并且，吸引口構(gòu)成為形成在所述收容部的底面，且所述吸引口的開口面積為所述WT面的面積的1～30％。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片的進(jìn)給裝置，其特征在于，

所述芯片的厚度T、寬度W、長度L處于L＞W(wǎng)＞T的關(guān)系。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6的任意一項(xiàng)所述的芯片的進(jìn)給裝置，其特征在于，

進(jìn)一步地，具備使所述進(jìn)給托盤搖動的搖動單元。