[發明專利]低泄漏模擬開關

在審

• 申請號: 201410408825.7
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN105720961A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 王正香
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

技術領域

本發明總體上涉及模擬開關，并且更特別地涉及了一種隔離開關，其中當一個節點具有未知、不可預測或變化的電勢，或者兩個節點均具有未知、不可預測或變化的電勢的時候，所述隔離開關將兩個電路之間的節點隔離開。

背景技術

當場效應晶體管(FET)處于非導通狀態下，它不應該允許任何電流在其漏極和源極端子之間流動。然而，實際上即使當晶體管的柵極到源極電壓將晶體管偏置在非導通狀態下，亞閾值電流(sub-thresholdcurrent)(泄漏電流)也可以在漏極和源極端子之間流動。因此，在少量的泄漏電流可以導致故障或者錯誤結果的場合，例如，在敏感的儀器、調諧或者監視電路中，場效應晶體管不適合于“接通”和“斷開”開關應用。因此，帶有阻止或者減小泄漏電流的FET的電路是有益的。

附圖說明

通過參考下述對優選實施例及其附圖的描述，能夠更好地理解本發明及其目的和優點，其中：

圖1是依據本發明實施例的半導體隔離開關的示意性電路圖；

圖2是依據本發明另一個實施例的半導體隔離開關的示意性電路圖；

圖3是依據本發明實施例的半導體隔離電路的示意性電路圖；

圖4是依據本發明另一個實施例的半導體隔離電路的示意性電路圖；

圖5是依據本發明實施例的模擬電路的示意性電路圖。

具體實施方式

在下文中結合附圖所進行的詳細描述旨在作為對本發明的現有優選實施例的描述，并不旨在代表可以實施本發明的唯一形式。可以理解的是，相同或者等同的功能可以由旨在被包括在本發明的精神和范圍內的不同實施例來完成。在附圖中，相同的數字始終用于代表相同的元件。另外，詞語“包含”“包含有”，或它的其它變型，旨在覆蓋非排外的包含，以使包含一系列元件或者步驟的模塊，電路，器件組件，結構和方法步驟不僅僅包括那些元件，也可以包括其它沒有明確說明的元件和步驟或者這種模塊，電路，器件組件或者步驟固有的元件或者步驟。前加“包含...一個”的元件或者步驟不排除(但不作更多限制)包含所述元件或者步驟的附加的相同元件或者步驟的存在。

在一個實施例中，本發明提供具有第一節點、第二節點，以及開關控制節點的半導體隔離開關。有兩個串聯連接的主場效應晶體管(primaryFET)，其中，第一個主場效應晶體管耦接在第一節點和中間節點之間，并且第二個主場效應晶體管耦接在中間節點和第二節點之間。可控上拉場效應晶體管串聯耦接到可控下拉場效應晶體管。該可控上拉場效應晶體管耦接在電源軌節點和公共節點之間，并且該可控下拉場效應晶體管耦接在公共節點和接地軌節點之間。泄漏控制晶體管耦接在公共節點和中間節點之間。主場效應晶體管、可控上拉場效應晶體管、可控下拉場效應晶體管，以及泄漏控制晶體管的每個都具有與開關控制節點耦接的相應的柵電極。

在另一個實施例中，本發明提供了模擬開關，所述模擬開關包括帶有第一電路互連節點的第一電路，以及帶有第二電路互連節點的第二電路。該模擬開關選擇性地將第一電路互連節點連接到第二電路互連節點。該模擬開關還包括與第一電路互連節點耦接的第一節點，以及與第二電路互連節點耦接的第二節點。有兩個串聯連接的主場效應晶體管，其中，第一個主場效應晶體管耦接在第一節點和中間節點之間，以及第二個主場效應晶體管耦接在中間節點和第二節點之間。可控上拉場效應晶體管串聯耦接到可控下拉場效應晶體管。可控上拉場效應晶體管耦接在電源軌節點和公共節點之間，并且可控下拉場效應晶體管耦接在公共節點和接地軌節點之間。泄漏控制晶體管耦接在公共節點和中間節點之間。主場效應晶體管、可控上拉場效應晶體管、可控下拉場效應晶體管，以及泄漏控制晶體管的每個都具有與開關控制節點耦接的相應的柵電極。