[發(fā)明專利]具電性連接結(jié)構(gòu)的基板及其制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410408637.4
• 申請日: 2014-08-19
• 公開（公告）號: CN105023906B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳柏毅;楊侃儒;黃曉君;莊建隆;馬光華;盧俊宏
• 申請（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

一種具電性連接結(jié)構(gòu)的基板及其制法，具電性連接結(jié)構(gòu)的基板的制法，先提供一具有電性接觸墊、設(shè)于其表面上且對應(yīng)外露該電性接觸墊的第一及第二鈍化層的板體，再形成晶種層于該第二鈍化層與該電性接觸墊上。接著，形成第一金屬層于該電性接觸墊上且埋設(shè)于該第一與第二鈍化層中，而未凸出該第二鈍化層，再形成第二金屬層于該第一金屬層上且凸出該第二鈍化層，以于之后蝕刻移除該第二鈍化層上的晶種層時，蝕刻液不會侵蝕該第一金屬層，因而該第二金屬層下方不會產(chǎn)生底切結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種具電性連接結(jié)構(gòu)的基板，尤指電性接觸墊與導(dǎo)電凸塊間的結(jié)合性改良。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前應(yīng)用于晶片封裝領(lǐng)域的技術(shù)，例如晶片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package,CSP)、晶片直接貼附封裝(Direct Chip Attached,DCA)或多晶片模組封裝(Multi－Chip Module,MCM)等覆晶型態(tài)的封裝模組、或?qū)⒕Ⅲw堆疊化整合為三維積體電路(3D IC)晶片堆疊技術(shù)等。

目前三維積體電路(3D IC)晶片堆疊技術(shù)，通過于封裝基板與半導(dǎo)體晶片之間增設(shè)一硅中介板(Silicon interposer)，使該封裝基板可結(jié)合具有高布線密度電極墊的半導(dǎo)體晶片，而達(dá)到整合高布線密度的半導(dǎo)體晶片的目的。

圖1A至圖1E為現(xiàn)有硅中介板1的制法的剖面示意圖。

如圖1A所示，提供一具有相對的第一表面10a與第二表面10b的硅板體10，該硅板體10中具有連通該第一表面10a與第二表面10b的多個導(dǎo)電穿孔100、及設(shè)于該第一表面10a與該導(dǎo)電穿孔100上的多個電性接觸墊101。

接著，形成一鈍化層11于該硅板體10的第一表面10a上，且該鈍化層11外露出各該電性接觸墊101的部分表面。

接著，形成一晶種層(seed layer)13于該鈍化層11與各該電性接觸墊101上，再形成一電鍍銅層12于該晶種層13上，且該晶種層13的材質(zhì)為鈦/銅。

接著，形成一阻層14于該電鍍銅層12上，且該阻層14未覆蓋對應(yīng)各該電性接觸墊101的位置上的電鍍銅層12。

接著，形成多個金屬部15于該未覆蓋該阻層14的電鍍銅層12上，且該金屬部15由一銅層150、一鎳層151、一金層152所構(gòu)成，該銅層150結(jié)合至該電鍍銅層12上，而該鎳層151結(jié)合至該銅層150上，使該金層152為最外層。

如圖1B所示，移除該阻層14及其下方的電鍍銅層12。

如圖1C所示，利用該鎳層151與金層152作為蝕刻擋層，以蝕刻移除位于該金屬部15周圍的晶種層13，使該金屬部15電性連接各該電性接觸墊101。

如圖1D所示，于該硅板體10的第二表面10b上進(jìn)行線路重布層(Redistributionlayer,RDL)制程，即先將該硅板體10的第一表面10a及金屬部15藉由粘著層160結(jié)合至一承載件16上，再形成一線路重布結(jié)構(gòu)17于該硅板體10的第二表面10b上，且該線路重布結(jié)構(gòu)17電性連接該導(dǎo)電穿孔100。

如圖1E所示，利用隱形切割(stealth dicing,SD)方式進(jìn)行切單制程，之后再移除該承載件16與該粘著層160，以獲取多個硅中介板1。具體地，先于該硅板體10內(nèi)以雷射掃瞄形成內(nèi)嵌切割線(即隱形切割)，再從該承載件16之處向上頂升，使該硅板體10沿該內(nèi)嵌切割線斷裂，而形成多個硅中介板1，之后提供熱風(fēng)予該粘著層160，使該粘著層160受熱擴(kuò)張而呈緊繃狀，即可取出各該硅中介板1，以完成切單制程。